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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET wholesale
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Composants de circuit intégré de bâti de surface du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET
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Numéro de type :TLE2061IDR
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :Le plus petit emballage/nous contactent
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 2500PCS/Standard
Type d'amplificateur :J-FET
Nombre de circuits :1
Produit de largeur de bande de gain :2MHz
Tension - l'approvisionnement, choisissent/conjuguent (le ±) :7V | 36V, ±3.5V | 18V
Température de fonctionnement - jonction :-40°C | 85°C
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Composants extérieurs de circuit intégré de bâti du circuit 8-SOIC de l'amplificateur 1 de TLE2061IDR J-FET.

Type d'amplificateur J-FET
Nombre de circuits 1
Type de sortie -
Taux de groupe 3.4V/µs
Produit de largeur de bande de gain 2MHz
Actuel - polarisation d'entrée 4pA
Tension - compensation d'entrée 600µV
Actuel - approvisionnement 290µA
Actuel - sortie/Manche 80mA
Tension - approvisionnement, simple/double (±) 7V | 36V, ±3.5V | 18V
Température de fonctionnement -40°C | 85°C

 

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