Bâti PG-TO252-3 de la surface 83W (comité technique) du transistor MOSFET 800V 6A (ventres) du N-canal SPD06N80C3
| Type de FET |
N-canal |
| Technologie |
Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) |
800V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C |
6A (ventres) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs |
900mOhm @ 3.8A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ |
3.9V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs |
41nC @ 10V |
| Vgs (maximum) |
±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds |
785pF @ 100V |
| Caractéristique de FET |
- |
| Dissipation de puissance (maximum) |
83W (comité technique) |
| Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type |
Bâti extérieur |
| Liste d'autres composants électroniques en stock |
| TK10A50D (Q) |
TOSHIBA |
|
AD8159ASVZ |
L'ADI |
| MT6188C/C |
MTK |
|
TLV2782ID |
TI |
| IKF6836-A0-PB1-C |
IKANOS |
|
FQPF2N70C |
FAIRCHILD |
| CPH6614-TL-E |
SANYO |
|
FDD8874 |
FAIRCHILD |
| 98FX940-B3-BEA1-1 |
DUNENETWORKS |
|
HY57V561620CTP-H |
HYNIX |
| FT690V |
FANGTEK |
|
LTC4301CMS8#TRPBF |
LTNEAR |
| FDPF9N50NZ |
FSC |
|
IR21093 |
IR |
| BFG135 |
INFINEON |
|
EN25F20-100GCP |
ÉON |
| SI12301DS-T1 |
VISHAY |
|
XC2S300E-7PQ208C |
XILINX |
| S29GL256P90TFIR2 |
SPANSION |
|
NC7SZ66P5X |
FAIRCHILD |
| LMV7271MF/NOPB |
NS |
|
FQA40N25 |
FAIRCHILD |
| AR9374X-AL3D |
QUALCOMMA |
|
EP4SGX180HF35C4 |
ALTERA |
| AK4387EM-E2 |
AKM |
|
DM74S20N |
NSC |
| UPD84909S7-014-C7 |
NEC |
|
C2225C103KGRAC7800 |
KEMET |
| LT1081CN |
LINÉAIRE |
|
4116R-1-102IF |
BOURNS |
| ISPGDX160VA-3B208-5I |
TRELLIS |
|
TPS3805H33QDCKRQ1 |
TI |
| LP2951ACD-3.0R2G |
SUR |
|
TPS2561DRCR |
TI |
| LM8261M5X |
NSC |
|
BSO150N03S |
INFINEON |
| FM31256-GTR |
RAMTRON |
|
LTC3526LEDC |
LT |
| TLV2262AIDR |
TI |
|
74HC05PW |
NXP |
