Transistor MOSFET 250V 8.8A (comité technique) 38W (comité technique) de N-canal de FQPF9N25C 9N25C par le trou TO-220F
| Type de FET |
N-canal |
| Technologie |
Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) |
250V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C |
8.8A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs |
430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ |
4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs |
35nC @ 10V |
| Vgs (maximum) |
±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds |
710pF @ 25V |
| Caractéristique de FET |
- |
| Dissipation de puissance (maximum) |
38W (comité technique) |
| Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C |
| Liste d'autres composants électroniques en stock |
| CUS10S30, H3F |
TOSHIBA |
|
CY2544C012 |
LA CY |
| BA6907F |
ROHM |
|
CP1117-1.8V-BR |
GCERAMATE |
| SEMS23 |
SAMSUNG |
|
BZX84-C4V7 |
PHI |
| PI3EQX6701CZDEX |
PERICOM |
|
AP603-F |
TRIQUIN |
| MAX8531ETTGG-T |
MAXIME |
|
ADM3486EARZ |
L'ADI |
| MAX489ECSD+ |
MAXIME |
|
LM224D |
SUR |
| ICS525-01RLFT |
IDT |
|
HSL226-NKRF-E |
RENESAS |
| M50FW040K5TG |
St |
|
MAX6164AESA+ |
MAXIME |
| 40ST1041D |
Livre |
|
H8KCSOQJOMBP-56M |
HYMIX |
| GP1S296HCPSF |
DIÈSE |
|
TPS71525DCKR |
TI |
| FDS8878 |
FAIRCHILD |
|
TMP8155P |
TOSHIBA |
| SSI34R3435-CV |
TI |
|
MLF2012A2R7JT000 |
TDK |
| MT29C4G96MAZAPCJA-5IT JW498 |
MICRON |
|
LP3999ITL-3.3 |
NSC |
| MB89935BPFV-GS-251-BND |
FUJITSU |
|
XC4VLX80-10FF1148C |
XILINX |
| LM2931AZ-5.0 |
NSC |
|
RC28F256P33TFA |
INTEL |
| HLMP-2885 |
AVAGO |
|
MPGC01DN-LF-Z |
MP |
| FAN5308MPX |
FAIRCHLD |
|
ICL7107CPL |
HAR |
| SN74LS30 |
TI |
|
AO4468 |
ALPHA |
| LE89116QVCT |
LEGERIT |
|
TRF96200GQER |
TI |
| 88SE6445-TFJ2 |
MARVELL |
|
TPS2053ADR |
TI |
