Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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bâti de surface de transistor MOSFET de la Manche d'IC IRFR9024NPBF P de conducteur de moteur de 55V 11A 38W D PAK

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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bâti de surface de transistor MOSFET de la Manche d'IC IRFR9024NPBF P de conducteur de moteur de 55V 11A 38W D PAK

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Numéro de type :IRFR9024NPBF
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 2500PCS/Standard
Type de FET :P-Canal
Vidangez à la tension de source :55V
Actuel - drain continu :11A
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Bâti D-PAK de surface du transistor MOSFET 55V 11A 38W de P-canal d'IRFR9024NPBF

Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 55V
Actuel - drain continu (identification) 25°C 11A (comité technique)
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 10V
Le RDS sur Vgs (maximum) 175 mOhm @ 6.6A, 10V
Identification (maximum) de Vgs (Th) 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) Vgs (maximum) 19nC @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Capacité (Ciss) Vds (maximum) d'entrée 350pF @ 25V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 38W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C | 150°C

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