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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Accueil / produits / Integrated Circuit IC Chip / Bâti bipolaire SOT-223 de surface du transistor BCP56-16T1G de NPN 80V 1A 130MHz 1.5W /

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Bâti bipolaire SOT-223 de surface du transistor BCP56-16T1G de NPN 80V 1A 130MHz 1.5W
Bâti bipolaire SOT-223 de surface du transistor BCP56-16T1G de NPN 80V 1A 130MHz 1.5W
  • Bâti bipolaire SOT-223 de surface du transistor BCP56-16T1G de NPN 80V 1A 130MHz 1.5W
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Mots clés du produit:
Résistance à la combustion anode commune à 7 segments bâti de panneau du rj 45

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