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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC wholesale
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Du transistor MOSFET FDS8984 de la rangée IC du composant électrique 2 N double 30V 7A 1.6W bâti 8 de surface de la Manche - SOIC
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Numéro de type :FDS8984
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :Le plus petit emballage/nous contactent
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 2500PCS/Standard
Condition :new&original
Expédition par :DHL \ UPS \ Fedex \ SME \ HK signalent, DHL, UPS, TNT, TNT ou SME
Garantie :180 jours
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Bâti 8-SOIC de surface du N-canal de la rangée 2 du transistor MOSFET FDS8984 (double) 30V 7A 1.6W

Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 7A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 13nC @ 10V
Entrez la capacité (Ciss) (maximum) @ Vds 635pF @ 15V
Puissance - maximum 1.6W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C

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common anode 7 segment

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