Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de puissance de l'arrêt IGBT de zone de commande de circuit FGH60N60SMD 600V 60A

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor de puissance de l'arrêt IGBT de zone de commande de circuit FGH60N60SMD 600V 60A

Demander le dernier prix
Numéro de type :FGH60N60SMD
Point d'origine :CN
Quantité d'ordre minimum :30 morceaux
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10Kpcs par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :Plateaux en plastique protégés
Les marchandises conditionnent :Tout neuf
Statut de partie :Actif
Sans plomb/Rohs :Plainte
Fonction :Contrôle de circuit
Montage du type :Par le trou
Paquet :TO247
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Transistor de puissance de l'arrêt de champ de FGH60N60SMD 600V 60A IGBT

Caractéristiques

• La température de jonction maximum : TJ =175oC

• Coefficient positif de Temperaure pour l'opération parallèle facile • Capacité à forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE (reposé) =1.9V (type.) @ IC = 60A

• Impédance élevée d'entrée • Commutation rapide

• Serrez la distribution de paramètre

• Applications conformes de RoHS • Inverseur solaire, UPS, SMPS, PFC

• Chauffage par induction

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications solaires d'inverseur, d'UPS, de SMPS, d'IH et de PFC où la basses conduction et pertes de commutation sont essentielles.

Transistor de puissance de l'arrêt IGBT de zone de commande de circuit FGH60N60SMD 600V 60A

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