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Transistor MOSFET extérieur FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 de puissance de la Manche du bâti P - MLP RoHS conforme

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET extérieur FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 de puissance de la Manche du bâti P - MLP RoHS conforme

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Numéro de type :FDMC510P
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :Western Union, T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement :consultation
Délai de livraison :2-3 jours ouvrables
Détails d'emballage :paquet 3000PCS/Standard
Type de FET :P-canal
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) :1 (illimité)
Statut sans plomb/statut de RoHS :Sans plomb/RoHS conforme
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Bâti 8-MLP de surface du transistor MOSFET 2.3W 41W de PUISSANCE du P-canal 20V de FDMC510P

Description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est produit utilisant le processus avancé de Trench® de la puissance du semi-conducteur de Fairchild qui a été optimisé pour le RDS (DESSUS), la représentation et la rugosité de changement.

Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 12A (merci), 18A (comité technique)
Conduisez la tension (le RDS maximum dessus, la minute le RDS dessus) 1.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 8 mOhm @ 12A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Déclenchez la charge (Qg) (maximum) @ Vgs 116nC @ 4.5V
Vgs (maximum) ±8V
Capacité (Ciss) (maximum) @ Vds d'entrée 7860pF @ 10V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 2.3W (merci), 41W (comité technique)
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Type de support Bâti extérieur

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