Remplacement RA60H4452M1-101 de transistor d'ampère d'étape de H2M 2 pour la radio mobile

RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 présentent le transistor de puissance d'ampère pour la RADIO MOBILE

DESCRIPTION

Le RA60H4452M1 est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 60 watts rf pour les radios mobiles de 12,5 volts qui fonctionnent dans les 440 - à la gamme 520-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension de porte (VGG=0V), seulement un petit courant de fuite coule dans le drain et le signal de sortie nominal (Pout=60W) atténue le DB jusqu'à 60. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain à mesure que la tension de porte augmente. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain sensiblement avec la tension de porte autour de 0V (minimum). Le de puissance de sortie nominal devient disponible au déclarer que VGG est 4V (typique) et 5V (maximum). À VGG=5V, les courants typiques de porte sont le module 5mA.This est conçus pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employés pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec la tension de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée

CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

2, Pout>60W, ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

3, plage de fréquence à bande large : 440-520MHz

4, structure de bouclier en métal qui apporte les améliorations du faux rayonnement simples

5, contrôle de basse puissance IGG=5mA actuel (type) @ VGG=5V

6, taille de module : 67 x 18 x 9,9 millimètres

7, opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec les tensions de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.