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45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2

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Numéro de type :RA45H8994M1-101
Point d'origine :LE JP
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Condition :Produit tout neuf de 100%
Statut de partie :Active
Paquet :H2m
Statut sans plomb/statut de RoHS :Conforme
Puissance de sortie :45W
tension :12.8V
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RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 présentent le transistor de l'ampère rf pour la RADIO MOBILE

DESCRIPTION

Le RA45H8994M1 est un module d'amplificateur de transistor MOSFET de 45 watts rf pour les radios mobiles de 12,8 volts qui fonctionnent dans les 896 - à la gamme 941-MHz. La batterie peut être reliée directement au drain des transistors de transistor MOSFET d'amélioration-mode. Sans tension 1 de porte et tension 2 (VGG1=VGG2=0V) de porte, seulement un petit courant de fuite coule dans le drain et le signal de sortie nominal (Pout=45W) atténue le DB jusqu'à 60. Quand c.-à-d. 3.4V fixe, est fourni à la tension 1 de porte, l'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain à mesure que la tension 2 de porte augmente. L'augmentation actuelle de puissance de sortie et de drain sensiblement avec la tension 2 de porte autour de 0V (minimum) dans la condition quand la tension 1 de porte est maintenue dans 3.4V. Le de puissance de sortie nominal devient disponible au déclarer que VGG2 est 4V (typique) et 5V (maximum). En ce moment, VGG1 doit être maintenu dans 3.4V. À VGG1=3.4V et à VGG2=5V, les courants typiques de porte sont 0.4mA. Ce module est conçu pour la modulation non linéaire de FM, mais peut également être employé pour la modulation linéaire en plaçant le courant tranquille de drain avec les tensions de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

CARACTÉRISTIQUES

1, transistors de transistor MOSFET d'Amélioration-mode (IDD≅0 @ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)

2, Pout>45W, ηT>33% @VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW

3, plage de fréquence à bande large : 896-941MHz • Structure de chapeau en métal qui apporte les améliorations du rayonnement de rf simples

4, contrôle de basse puissance IGG1+IGG2=0.4mA actuel (type) @ VGG1=3.4V, VGG2=5V • Taille de module : 67 x 18 x 9,9 millimètres

5, opération linéaire est possible en plaçant le drain tranquille actuel avec les tensions de porte et en commandant le de puissance de sortie avec la puissance d'entrée.

45 norme du CEI du transistor RA45H8994M1-101 d'ampère de puissance d'étape du watt 12.8V 2

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