Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de rendement élevé 28.5dB 108MHz BLF174XR rf

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Numéro de type :BLF174XR
Point d'origine :USA
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Condition :Produit tout neuf de 100%
Statut de partie :Active
Paquet :SOT1214A
Statut sans plomb/statut de RoHS :Conforme
Puissance de sortie :600W
tension :50V
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Transistor MOSFET LDMOS (double), source commune 50V 100mA 108MHz 28.5dB 600W SOT1214A de BLF174XR rf

600 transistor de puissance extrêmement rocailleux de W LDMOS pour l'émission et les applications industrielles dans l'à haute fréquence à la bande de 128 mégahertz

Caractéristique

1, contrôle de puissance facile

2, protection intégrée d'ESD

3, excellente rugosité

4, rendement élevé

5, excellente stabilité thermique

6, conçu pour le  à bande large de l'opération (à haute fréquence à 128 mégahertz) conforme à la directive 2002/95/EC, concernant la restriction des substances dangereuses (RoHS)

Application

Applications industrielles, scientifiques et médicales

Applications d'émetteur d'émission

Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 108MHz
Gain 28.5dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 100mA
Puissance de sortie 600W
Tension - évaluée 110V
Paquet/cas SOT-1214A
Paquet de dispositif de fournisseur SOT1214A

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