Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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paquet de l'AFFAIRE 211-11 de rendement élevé du transistor 28V de puissance élevée de 80W MRF173

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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paquet de l'AFFAIRE 211-11 de rendement élevé du transistor 28V de puissance élevée de 80W MRF173

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Numéro de type :MRF173
Point d'origine :USA
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Condition :Produit tout neuf de 100%
Statut de partie :Active
Paquet :AFFAIRE 211-11
Statut sans plomb/statut de RoHS :Conforme
Puissance de sortie :80W
tension :28V
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Transistor de puissance des transistors MOSFET rf de mode d'amélioration du N-canal MRF173

Conçu pour des applications commerciales et militaires à bande large jusqu'à 200 mégahertz de plage de fréquence. La représentation de haute puissance, à gain élevé et à bande large de ces dispositifs font les émetteurs à semi-conducteur possibles pour FM annoncer ou des bandes de fréquence de chaîne de télévision.

1, représentation garantie à 150 mégahertz, 28 V : De = gain de puissance de sortie 80 W = efficacité du DB 11 (type de DB 13) = 55% mn (type de 60%)

2, basse résistance thermique • Rugosité examinée à de puissance de sortie évalué

3, nitrure ont passivé meurent pour la fiabilité augmentée

4, figure à faible bruit — type du DB 1,5 à 2,0 A, 150 mégahertz

5, excellente stabilité thermique ; Adapté à la classe une opération

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