Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Partie latérale de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance du transistor MOSFET MRF6V2150NBR1 N

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MrZhu
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Partie latérale de mode d'amélioration de la Manche du transistor de puissance du transistor MOSFET MRF6V2150NBR1 N

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Numéro de type :MRF6V2150NBR1
Point d'origine :USA
Quantité d'ordre minimum :1 morceau
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000 morceaux par an
Délai de livraison :1-2 jours de travail
Détails d'emballage :emballage standard d'usine
Vidangez la tension de source :110VDC
Tension de source de porte :12V
La température de jonction fonctionnante :225°C
Température de fonctionnement de cas :150°c
La température de stockage :-65 à +165°C
tension :50V
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Transistors MOSFET de partie latérale d'Amélioration-mode de N-canal de transistors de puissance de MRF6V2150NBR1 rf

Caractéristiques
• Caractérisé avec grand équivalent de série--Paramètres d'impédance de signal
• Qualifié jusqu'à un maximum d'opération de 50 VDD
• Protection intégrée d'ESD
• paquet 225°C en plastique capable
• RoHS conforme
• Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 44 millimètres, bobine de 13 pouces.

Conçu principalement pour l'onde entretenue grande--applications de sortie et de conducteur de signal avec
fréquences jusqu'à 450 mégahertz. Les dispositifs sont inégalés et conviennent pour l'usage dedans
applications industrielles, médicales et scientifiques.

Fabricant USA Inc.
Série -
Empaquetage Bande et bobine (TR)
Statut de partie Pas pour de nouvelles conceptions
Type de transistor LDMOS
Fréquence 220MHz
Gain 25dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 450mA
Puissance de sortie 150W
Tension - évaluée 110V
Paquet/cas TO-272BB
Paquet de dispositif de fournisseur TO-272 WB-4
Numéro de la pièce bas MRF6V2150

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