Circuit intégré de régulateur de terminaison DDR-II de puce de circuit intégré LP2997MRX ic de circuit intégré
PORTÉE des puces de mémoire de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram FBGA-96 RDA inchangée
IS42S16320B-7TL SDRAM 64 Mb Densité 166MHz Vitesse 3.3V Opération 16Mx16 Organisation LVTTL Interface Température industrielle (-40°C ~ 85°C) Package TSOP-II compact Haute fiabilité
Régulateur d'arrêt de LP2998MA NOPB RDA 1,35 V à 5,5 V
Repérage LP2998QMRX/NOPB PMIC d'arrêt de la gestion IC de puissance de la RDA
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fabrication de substrats de circuits imprimés de mémoire pour le DDR/LPDDR
Micron MT41K256M16TW-107 AIT : Puce 512Mb DDR3 SDRAM de la mémoire instantanée IC de P
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.
Puce MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D d'IC de mémoire de 1GB RDA SDRAM
1-1473005-1 Connecteurs AMP TE Connectivity Prise SODIMM DDR SDRAM
CY7C1618KV18-333BZXC Puce de mémoire 144Mbit SRAM synchrone pipelinée avec interface DDR II
MT29F2G08ABAEAH4-IT : Contrôleur VFBGA-63 de moteur d'E RDA Ram Sdram Electronic Chip
16Mx16 mettent en parallèle la puce 46V16M16 SDRAM - mémoire IC 256Mb d'IC de circuit intégré de la RDA
Circuit intégré IC de régulateur d'arrêt de la puce DDR-II de circuit intégré de LP2997MRX
SDRAM - mémoire IC MT46V16M16P-5B de la RDA : Parallèle de M 256Mbit 200 mégahertz 700 puce électronique de la picoseconde 66-TSOP IC
DRACHME IS42S16320F-6TLI de Pin TSOP II de 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54
MT46V16M16P-75 : Plateau de la RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP de puce de DRACHME de MICRON de F