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Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R de transport d'IPD90R1K2C3 Infineon
Spécifications techniques de produit
| UE RoHS |
Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) |
EAR99 |
| Statut de partie |
Actif |
| SVHC |
Oui |
| SVHC dépasse le seuil |
Oui |
| Des véhicules à moteur |
Non |
| PPAP |
Non |
| Catégorie de produit |
Transistor MOSFET de puissance |
| Configuration |
Simple |
| Technologie transformatrice |
CoolMOS |
| Mode de la Manche |
Amélioration |
| Type de la Manche |
N |
| Nombre d'éléments par puce |
1 |
| Tension maximum de source de drain (v) |
900 |
| Tension de source de porte maximum (v) |
±20 |
| Tension maximum de seuil de porte (v) |
3,5 |
| La température de jonction fonctionnante (°C) |
-55 à 150 |
| Drain continu maximum (a) actuel |
5,1 |
| Courant maximum de fuite de source de porte (Na) |
100 |
| IDSS maximum (uA) |
1 |
| Résistance maximum de source de drain (MOhm) |
1200@10V |
| Charge typique @ Vgs (OR) de porte |
28@10V |
| Charge typique @ 10V (OR) de porte |
28 |
| Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée |
710@100V |
| Dissipation de puissance maximum (mW) |
83000 |
| Temps typique d'automne (NS) |
40 |
| Temps de montée typique (NS) |
20 |
| Temps de retard d'arrêt typique (NS) |
400 |
| Temps de retard d'ouverture typique (NS) |
70 |
| Température de fonctionnement minimum (°C) |
-55 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) |
150 |
| Emballage |
Bande et bobine |
| Tension de source de porte positive maximum (v) |
20 |
| Tension en avant de diode maximum (v) |
1,2 |
| Pin Count |
3 |
| Nom de forfait standard |
TO-252 |
| Paquet de fournisseur |
DPAK |
| Support |
Bâti extérieur |
| Taille de paquet |
2,41 (maximum) |
| Longueur de paquet |
6,73 (maximum) |
| Largeur de paquet |
6,22 (maximum) |
| La carte PCB a changé |
2 |
| Étiquette |
Étiquette |
| Forme d'avance |
Mouette-aile |
