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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Accueil / produits / High Power MOSFET / Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi /

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Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi
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Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R de transport d'IPD90R1K2C3 Infineon Spécifications techniques de produit UE RoHS Conforme avec ...
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