la ligne de production:
Le processus complet de la production de puce inclut généralement : conception de circuit intégré, production de puce, production de empaquetage, coûtée l'essai et d'autres liens importants, parmi lesquels le processus de fabrication de puce est particulièrement compliqué. Le diagramme ci-dessous nous permet de comprendre le processus de la fabrication de gaufrette ensemble.
1 du sable aux gaufrettes
12 processus technologiques importants de polysilicium à la gaufrette de silicium
1) Polysilicium
Le polysilicium est une forme de silicium élémentaire. Quand le silicium élémentaire fondu est solidifié dans des conditions surfondues, des atomes de silicium sont arrangés sous forme de trellis de diamant pour former beaucoup de noyaux en cristal. Si ces noyaux en cristal se développent dans les grains en cristal avec différentes orientations plates en cristal, ces grains en cristal combinent pour se cristalliser dans le silicium polycristallin.
2) Cristallogénèse
3) Lingot monocristallin de silicium
Le silicium monocristallin est une forme de silicium élémentaire. Quand le silicium élémentaire fondu est solidifié, les atomes de silicium sont arrangés dans le trellis de diamant pour former beaucoup de noyaux en cristal. Si ces noyaux en cristal se développent dans des grains avec la même orientation plate en cristal, ces grains combinent en parallèle pour se cristalliser dans le silicium de monocristal.
4) Cristal équilibrant et rectifiant
5) tranche
6) Arrondissage de bord
7) Meulage
8) Gravure à l'eau-forte (polissage chimique)
9) Polonais
10) nettoyage
11) Contrôle
12) Emballage/transport
2 de la gaufrette de silicium à IC
L'écoulement de traitement de la gaufrette de silicium à IC est rudement divisé en deux étapes : d'entrée et principal
2,1 processus (Fe) d'entrée
(1) préparation de gaufrette
(2) conception de circuit de semi-conducteur
(3) préparation de masque
(4) stratification d'oxydation
Oxydation thermique - crée le silice, qui est la porte du transistor à effet de champ
(5) revêtement de vernis photosensible
(6) exposition d'étape
(7) photolithographie
Employez la lumière UV pour irradier la gaufrette de silicium par le masque, et le secteur irradié sera facilement enlevé, et le secteur non irradié demeurera le même. Alors vous pouvez graver le modèle désiré sur la gaufrette de silicium. La note, actuellement, aucune impuretés ont été ajoutées, et c'est toujours une gaufrette de silicium.
(8) graver à l'eau-forte
Gravure à l'eau-forte est divisée en gravure à l'eau-forte sèche et gravure à l'eau-forte humide :
Gravure à l'eau-forte sèche - ne sont pas réellement de ce que nous avons besoin, mais sont gravées à l'eau-forte plusieurs des formes précédemment gravées à l'eau-forte avec la lithographie pour l'implantation ionique. Maintenant nous devons employer le plasma pour les enlever, ou quelques structures qui n'ont pas besoin d'être gravées à l'eau-forte dans la première étape de la photolithographie, cette étape est gravées à l'eau-forte.
Gravure à l'eau-forte humide - davantage de lavage, mais au moyen des réactifs, ainsi de elle s'appelle gravure à l'eau-forte humide - après les étapes ci-dessus sont accomplies, le tube d'effet de champ a été fait, mais les étapes ci-dessus sont généralement faites plus d'une fois, et il est susceptible de devoir être répété font pour répondre aux exigences.
(9) implantation ionique
Différentes impuretés sont ajoutées à différentes positions de la gaufrette de silicium, et les différentes impuretés forment des transistors à effet de champ selon la concentration/position.
(10) dépôt en phase vapeur
La déposition en phase vapeur (CVD) autre raffine de diverses substances sur la surface. Physique le dépôt en phase vapeur (PVD), semblable, et peut ajouter le revêtement aux pièces sensibles
(11) plaquant le traitement
essai de gaufrette (de 12)
2,2 processus de partie postérieure (ÊTRE)
• Les traitements meurent pâte d'attache pour durcir et réaliser les propriétés mécaniques et électriques optimas.
• Les produits collés avec la colle devraient maintenir la température pendant longtemps (habituellement environ 125~175°C).
Liaison de fil
La connexion électrique entre la matrice et le cadre d'avance emploie l'or, cuivre, fils en aluminium.
Inscription
• Mettant l'identification, traçabilité et distinguant des marques sur l'emballage.
• Paquets de marque suivre des méthodes d'encre ou de laser.
• Dans beaucoup d'applications, l'inscription de laser est préférée en raison de sa sortie plus élevée et meilleure résolution.
Section transversale de puce
encapsulation
L'emballage fixera la gaufrette après la fabrication, lie les goupilles, et les transforme en diverses formes de empaquetage selon les besoins. C'est la raison pour laquelle le même noyau de puce peut avoir différentes formes de empaquetage. Par exemple : IMMERSION, QFP, PLCC, QFN, etc. Ceci est principalement déterminé par des facteurs externes tels que les habitudes de l'application de l'utilisateur, l'environnement d'application, et la forme du marché.
Essai
Le dernier processus de la fabrication de puce examine, qui peut être divisé en essai général et essai spécial. L'ancien est d'examiner les caractéristiques électriques de la puce emballée dans divers environnements, tels que la puissance, la vitesse de fonctionnement, la tension de tenue, etc. Les puces examinées sont divisées en différentes catégories selon leurs caractéristiques électriques. L'essai spécial est de sortir quelques puces des caractéristiques et des variétés semblables de paramètre selon les paramètres techniques des besoins spéciaux du client, et fait les essais spéciaux visés pour voir s'ils peuvent répondre aux besoins spéciaux des clients, afin de décider si concevoir les puces spéciales pour des clients. puce. Des produits qui ont passé l'essai général sont marqués avec des caractéristiques, des modèles, et la date de la fabrication, et puis empaquetés avant de quitter l'usine. Des puces qui ne passent pas l'essai sont classifiées en tant que descendu ou ferraillé selon les paramètres qu'elles rencontrent.
