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China 3 puissance faible de l'inverseur IGBT de phase modules/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO wholesale

3 puissance faible de l'inverseur IGBT de phase modules/FP75R12KT4B11BOSA1 ECONO

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Number modèle :FP75R12KT4B11BOSA1

Point d'origine :L'Allemagne

Quantité d'ordre minimum :1pcs

Conditions de paiement :L/C, T/T

Capacité d'approvisionnement :500 PCS+48hours

Délai de livraison :48hours

Détails de empaquetage :Plateau

Infineon :FP75R12KT4B11BOSA1

Configuration :inverseur triphasé

Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur :1,2 kilovolts

Tension de saturation de collecteur-émetteur :1,85 V

Courant de collecteur continu à 25C :75 A

courant de fuite de Porte-émetteur :Na 100

dissipation puissance du palladium :385 W

La température fonctionnante minimum :-40℃

La température fonctionnante maximum :+150℃

Emballage :10 PCs

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FP75R12KT4B11BOSA1 SP000355575 Infineon PUISSANCE FAIBLE ECONO de module d'IGBT

FP75R12KT4_B11

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : inverseur triphasé
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,85 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 75 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 385 W
Paquet/Cabinet : Econo 3
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Taille : 17mm
Longueur : 122mm
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Type de produit : Modules d'IGBT
Série : Trenchstop IGBT4 - T4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

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