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paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT

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Number modèle :FS820R08A6P2BBPSA1
Point d'origine :L'Allemagne
Quantité d'ordre minimum :1pcs
Conditions de paiement :L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement :500 PCS+48hours
Délai de livraison :48hours
Détails de empaquetage :Plateau
Infineon :FS820R08A6P2BBPSA1
Configuration :6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur :750 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur :1.1V
Courant de collecteur continu à 25C :450A
courant de fuite de Porte-émetteur :Na 400
dissipation puissance du palladium :714W
La température fonctionnante minimum :-40℃
La température fonctionnante maximum :+150℃
Emballage :6 PCs
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FS820R08A6P2BBPSA1   SP001499708    Infineon   COMMANDE HYBRIDE de PAQUET de module d'IGBT

FS820R08A6P2B

 

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 750 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,1 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 450 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 400
dissipation puissance du palladium : 714 W
Paquet/boîte : Module
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bâti de châssis
Série : IGBT EDT2
Quantité de emballage : 6 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

 

 

paquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBTpaquet FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 de Module 6 de conducteur de 1.1V 450A IGBT

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