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Ltd international oriental de Stor.

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Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

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Modules simples 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuration IGBT

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Number modèle :FD150R12RT4HOSA1

Point d'origine :L'Allemagne

Quantité d'ordre minimum :1pcs

Conditions de paiement :L/C, T/T

Capacité d'approvisionnement :500 PCS+48hours

Délai de livraison :48hours

Détails de empaquetage :Plateau

Infineon :FD150R12RT4HOSA1

Configuration :Simple

Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur :1,2 kilovolts

Tension de saturation de collecteur-émetteur :2,15 V

Courant de collecteur continu à 25C :150 A

courant de fuite de Porte-émetteur :Na 100

dissipation puissance du palladium :790 W

La température fonctionnante minimum :-40℃

La température fonctionnante maximum :+150℃

Emballage :10 PCs

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FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 Infineon Module IGBT 1200V 150A d'IGBT

FD150R12RT4

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : Simple
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,15 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 150 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 790 W
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Style d'installation : SMD/SMT
Série : Fossé/Fieldstop IGBT4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs

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