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Ltd international oriental de Stor.

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Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

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3 puissance faible F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 de module d'inverseur de la phase IGBT

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Number modèle :F3L75R12W1H3_B27

Point d'origine :L'Allemagne

Quantité d'ordre minimum :1pcs

Conditions de paiement :L/C, T/T

Capacité d'approvisionnement :500 PCS+48hours

Délai de livraison :48hours

Détails de empaquetage :Plateau

Infineon :F3L75R12W1H3_B27

Configuration :inverseur triphasé

Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur :1,2 kilovolts

Tension de saturation de collecteur-émetteur :1,45 V

Courant de collecteur continu à 25C :45 A

courant de fuite de Porte-émetteur :Na 100

dissipation puissance du palladium :275 W

La température fonctionnante minimum :-40℃

La température fonctionnante maximum :+150℃

Emballage :24 PCs

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F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon Module d'IGBT PUISSANCE FACILE

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : inverseur triphasé
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,45 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 45 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 275 W
Paquet/boîte : EasyPack1B
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Série : IGBT à grande vitesse H3
Quantité de emballage : 24 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

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