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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. Infineon MOSFET à haute puissance NEW TO-220-3
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail.
Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de l'activité.
Manufacturer: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style d'installation: à travers le trou
Les produits doivent être présentés dans une boîte ou un emballage.
Polarité du transistor: N-canal
Nombre de chaînes: 1
Voltage de rupture de la source de vidange VDS: 650 V
Id courant de vidange continu: 12 A
Rds Résistance à la source de dégagement: 190 mOhms
Vgs - tension de la porte de sortie: - 20 V, + 20 V
Vgs threshold voltage de la source de la porte: 4,5 V
Charge de la porte Qg: 23 nC
Température minimale de fonctionnement: - 40 °C
Température de fonctionnement maximale: +150 C
Dissipation de puissance Pd: 63 W
Mode de diffusion: amélioration
Emballage: tube
Quantité d'emballage: 500 pièces
Nom de code: IPP65R190CFD7 SP005413377
