substrat libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.
PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.
Montre ici des spécifications de détail :
substrat libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
| Article | PAM-FS-GaN-50-N |
| Dimension | 10 x 10,5 millimètres2 |
| Épaisseur | 350 ±25 µm du µm 430±25 |
| Orientation | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° |
| Type de conduction | de type n |
| Résistivité (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | µm du ≤ 10 |
| ARC | -10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm |
| Aspérité : | Partie antérieure : Ra<0.2nm, epi-prêt ; Arrière : La terre fine ou poli. |
| Densité de dislocation | De 1 de x 105 à 5x 106 cm-2 (calculé par le CL) * |
| Macro densité de défaut | 0 cm2 |
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de bord) |
| Paquet | chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100 |
substrat libre de 10*10mm2 N-GaN GaN
Le substrat de GaN de PAM-XIAMEN (nitrure de gallium) est substrat monocristallin avec de haute qualité, qui est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette. Elles sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et de LD (violet, bleu et vert), en outre le développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.
GaN est très un dur (12±2 GPa, matériel large mécaniquement stable de semi-conducteur de bandgap avec la capacité et la conduction thermique de feu vif. Sous sa forme pure il résiste fendre et peut être déposé en couche mince sur le carbure de saphir ou de silicium, en dépit de la disparité dans leurs constantes de trellis. GaN peut être enduit du silicium (Si) ou avec l'oxygène à de type n et avec du magnésium (Mg) à de type p. Cependant, changement des atomes de SI et de magnésium la manière que les cristaux de GaN se développent, présentant des contraintes de traction et les rendant fragiles. Les composés de Galliumnitride tendent également à avoir une densité de dislocation élevée, sur l'ordre de 108 à 1010 défauts par centimètre carré. Le comportement large de bande-Gap de GaN est relié aux changements spécifiques de la structure de bande électronique, de la profession de charge et des régions de liaison chimique.
RAPPORT de matériel-ESSAI de Transmitance-GaN
Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.
Projet d'essai : Transmitance
La transmittance de la surface de gaufrette est l'efficacité de sa transmission d'énergie radiative. Comparé au coefficient de transmission, c'est la fraction de la puissance électromagnétique d'incident transmise par l'échantillon, et le coefficient de transmission est le rapport du champ électrique transmis au champ électrique d'incident.
Est ci-dessous un exemple de Transmitance de matériel de GaN :
Transmitance de matériel de GaN
