XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

MATÉRIEL AVANCÉ CIE., LTD DE XIAMEN POWERWAY.

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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Ville:xiamen
Province / État:fujian
Pays / Région:china
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substrat libre de N-GaN GaN d'avion (de 20-2-1) avec la basse densité de dislocation

substrat libre de N-GaN GaN d'avion (de 20-2-1) avec la basse densité de dislocation PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière p
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Un substrat hexagonal libre de cristal de GaN SI-enduit par avion GaN

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10*10mm2 N-GaN GaN Substrate libre, Epi-prêt avec double latéral poli

10*10mm2 N-GaN GaN Substrate libre, Epi-prêt avec double PAM-XIAMEN poli latéral a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la ....
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(11-22) surfacez la nitrure libre de gallium d'U-GaN (GaN) Crystal Substrate

(11-22) surfacez la nitrure libre de gallium d'U-GaN (GaN) Crystal Substrate que PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de .....
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substrat libre semi-polaire de cristal de N-GaN GaN d'avion (de 20-21)

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(20-2-1) surfacez la gaufrette libre de nitrure du gallium SI-GaN (GaN)

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gaufrette pure libre de nitrure de gallium de l'avion SI-GaN (de 20-21) (GaN)

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Un substrat libre plat de N-GaN GaN

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substrat libre de 10*10mm2 SI-GaN GaN pour l'III-nitrure LDs

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Substrat libre d'U-GaN GaN (nitrure d'avion de M de gallium) - gaufrette de Powerway

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