substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN
PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.
PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.
Montre ici des spécifications de détail :
substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN
| Article | PAM-FS-GaN-50-U |
| Dimension | 10 x 10,5 millimètres2 |
| Épaisseur | 350 ±25 µm du µm 430±25 |
| Orientation | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° |
| Type de conduction | de type n |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | µm du ≤ 10 |
| ARC | -10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm |
| Aspérité : | Partie antérieure : Ra<0.2nm, epi-prêt ; Arrière : La terre fine ou poli. |
| Densité de dislocation | De 1 de x 105 à 5x 106 cm-2 (calculé par le CL) * |
| Macro densité de défaut | 0 cm2 |
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de bord) |
| Paquet | chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100 |
substrat libre de 10*10mm2 U-GaN GaN
Le substrat de GaN de PAM-XIAMEN (nitrure de gallium) est substrat monocristallin avec de haute qualité, qui est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette. Elles sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et de LD (violet, bleu et vert), en outre le développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.
La technologie de GaN est employée dans de nombreuses applications de haute puissance telles que les alimentations industrielles, du consommateur et de serveur d'énergie, la commande solaire, à C.A. et les inverseurs d'UPS, et les voitures hybrides et électriques. En outre, GaN approprié idéalement aux applications de rf telles que les stations de base, les radars et l'infrastructure cellulaires TV par câble dans la mise en réseau, des secteurs d'espace et de défense, grâce à sa haute résistance de panne, figure à faible bruit et des linéarités élevées.
RAPPORT de Matériel-ESSAI de basculage de courbes-GaN de XRD
Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.
La moitié-taille de grande largeur (FWHM) est une expression de la gamme des fonctions indiquées par la différence entre deux valeurs extrêmes de la variable indépendante égale à la moitié de son maximum. En d'autres termes, c'est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe des y, qui est moitié de l'amplitude maximum.
Est ci-dessous un exemple des courbes de basculage de XRD du matériel de GaN :
Courbes de basculage de XRD de matériel de GaN
