Un substrat libre plat d'U-GaN Hvpe-GaN pour des dispositifs d'III-nitrure

Un substrat libre plat d'U-GaN Hvpe-GaN pour des dispositifs d'III-nitrure

PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.

PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.

Montre ici des spécifications de détail :

Un substrat libre plat d'U-GaN GaN

Un substrat libre plat d'U-GaN GaN

Le substrat de GaN de PAM-XIAMEN (nitrure de gallium) est substrat monocristallin avec de haute qualité, qui est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette. Elles sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et de LD (violet, bleu et vert), en outre le développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.

GaN est très un dur (12±2 GPa, matériel large mécaniquement stable de semi-conducteur de bandgap avec la capacité et la conduction thermique de feu vif. Sous sa forme pure il résiste fendre et peut être déposé en couche mince sur le carbure de saphir ou de silicium, en dépit de la disparité dans leurs constantes de trellis. GaN peut être enduit du silicium (Si) ou avec l'oxygène à de type n et avec du magnésium (Mg) à de type p. Cependant, changement des atomes de SI et de magnésium la manière que les cristaux de GaN se développent, présentant des contraintes de traction et les rendant fragiles. Les composés de Galliumnitride tendent également à avoir une densité de dislocation élevée, sur l'ordre de 108 à 1010 défauts par centimètre carré. Le comportement large de bande-Gap de GaN est relié aux changements spécifiques de la structure de bande électronique, de la profession de charge et des régions de liaison chimique.

Constante de trellis de substrat de GaN

Des paramètres de trellis de la nitrure de gallium ont été mesurés utilisant la diffraction élevée de rayon de ‐ de la résolution X de ‐

GaN, sructure de wurtzite. Les constantes a de trellis contre la température.

GaN, sructure de wurtzite. Les constantes c de trellis contre la température

Propriétés de substrat de GaN

Application de substrat de GaN

La nitrure de gallium (GaN), avec un espace de bande direct de l'eV 3,4, est un matériel prometteur dans le développement des dispositifs luminescents à ondes courtes. D'autres demandes de circuit optique de GaN incluent des lasers de semi-conducteur et des détecteurs optiques.