10*10mm2 SI-a enduit GaN/substrats de saphir pour le transistor de GaN

10*10mm2 SI-a enduit GaN/substrats de saphir pour le transistor de GaN

Les produits du calibre de PAM-XIAMEN se composent des couches cristallines de nitrure de gallium (GaN), de nitrure en aluminium (AlN), de nitrure en aluminium de gallium (AlGaN) et de nitrure de gallium d'indium (InGaN), qui est déposée sur des substrats de saphir. Les produits du calibre de PAM-XIAMEN permettent 20-50% durées de cycle plus courtes d'épitaxie et couches épitaxiales plus de haute qualité de dispositif, avec une meilleure qualité structurelle et une conduction thermique plus élevée, qui peuvent améliorer des dispositifs dans le coût, le rendement, et la représentation.

Pam-XIAMEN'sGaN sur des calibres de saphir sont disponible de diamètre de 2" jusqu'à 6", et se composent d'une couche mince de GaN cristallin développée sur un substrat de saphir. calibres Epi-prêts maintenant disponibles.

Montre ici des spécifications de détail :

substrats de GaN SI-enduits par 10*10mm2/saphir

substrats de GaN SI-enduits par 10*10mm2/saphir

Rapport de FWHM et de XRD

Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.

Projet d'essai : Projet de FWHM et de XRD

La moitié-taille de grande largeur (FWHM) est une expression de la gamme des fonctions indiquées par la différence entre deux valeurs extrêmes de la variable indépendante égale à la moitié de son maximum. En d'autres termes, c'est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe des y, qui est moitié de l'amplitude maximum.

Est ci-dessous un exemple de FWHM et de XRD de calibre d'AlN :

FWHM et XRD de calibre d'AlN

FWHM et XRD de calibre d'AlN

Ici nous montrons l'expérience comme exemple :

Expérience sur GaN sur le saphir : Propriétés optoélectroniques et caractérisation structurelle des couches épaisses de GaN sur différents substrats par le dépôt de laser pulsé :

Expérience sur GaN sur le saphir : Propriétés optoélectroniques et caractérisation structurelle des couches épaisses de GaN sur différents substrats par le dépôt de laser pulsé :

Tous les échantillons de film de GaN ont été déposés sur différents substrats par PLD au ◦C 1000 dans une atmosphère ambiante de plasma d'azote. La chambre a été pompée vers le bas aux torr 10−6 avant que le procédé de dépôt ait commencé, et le gaz de N2 (avec une pureté de 99,999%) a été présenté. La pression d'utilisation une fois que le plasma de N2 était injecté était le torr 1,13 du × 10−4. Un laser d'excimère de KrF (λ = 248 nanomètre, lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, Etats-Unis) a été utilisé comme source d'ablation et actionné avec un taux de répétition de 1 hertz et d'une énergie d'impulsion de 60 MJ. Le taux de croissance moyen du film de GaN était approximativement 1 µm/h. L'à rayon laser était incident sur une cible tournante sous un angle de 45◦. La cible de GaN a été fabriquée par HVPE et ensemble à une distance fixe de 9 cm du substrat avant d'être tournée à 30 t/mn pendant le dépôt de film. Dans ce cas, ~4 films µm-épais de GaN ont été développés sur un calibre de GaN/saphir (échantillon A), saphir (échantillon B), SI (111) (échantillon C), et SI (100) (échantillon D). Pour le GaN sur l'échantillon A, une couche de 2-µm GaN a été premièrement déposée sur le substrat de saphir par MOCVD. La microscopie électronique de balayage (SEM, S-3000H, Hitachi, Tokyo, Japon), le microcopy d'électron de transmission (TEM, H-600, Hitachi, Tokyo, Japon), la microscopie atomique de force (AFM, DI-3100, Veeco, New York, NY, Etats-Unis), la diffraction des rayons X de double-cristal (XRD, X'Pert PRO millirutherford, PANalytical, Almelo, Pays-Bas), le photoluminescence à basse température (PL, Flouromax-3, Horiba, Tokyo, Japon), et la spectroscopie de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tokyo, Japon) ont été utilisés pour explorer la microstructure et les propriétés optiques des calibres de GaN déposés sur différents substrats. Les propriétés électriques des films de GaN ont été déterminées par la mesure de Van der Pauw-Hall sous l'azote liquide se refroidissant à 77 K

Le schéma 2 montre une comparaison des modèles typiques de XRD de 0002) films de GaN (développés sur différents substrats. Il peut voir qu'il y a une variation de la valeur de FWHM (des 0002) crêtes de diffraction, et des intensités de la crête de diffraction de GaN sur les différents substrats ont été obtenues à environ 34,5 degrés. L'intensité de GaN (0002) dans l'échantillon A est la plus forte parmi tous les échantillons, qui indique que les films de GaN sur le calibre de GaN/saphir sont fortement orientés c et ont une meilleure qualité cristalline. Le FWHM de GaN (0002) évalue pour les échantillons A, B, C, et D a été mesuré à 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, et 1.09◦, respectivement. Cependant, l'intensité maximale de XRD augmente pendant que FWHM diminue ; ceci est attribué à l'augmentation de la taille de cristallite due à l'agrégation de petits grains ou au mouvement de joint de grain pendant le processus de croissance. Puisque le FWHM de la crête de diffraction de XRD est relativement au grosseur du grain moyen de cristallite dans le film [26], le grosseur du grain de GaN développé sur les différents substrats est calculé utilisant l'équation de Debye-Scherer [27] : D = 0.9λ/FWHMcosθ (1) où D est la taille de cristallite, λ est la longueur d'onde de rayon X, et le θ est l'angle de diffraction. On estime à que les tailles de cristallite des échantillons A, B, C, et D 57, 20, 13, et 9 nanomètre, respectivement. Ces résultats indiquent que la qualité cristalline des films de GaN développés sur les échantillons A et B est meilleure que celle des films développés sur des échantillons C et D. Appl. Sci. 2017, 7, 87 3 de 9 GaN/calibres de saphir sont fortement ‐ de c orienté et ont une meilleure qualité cristalline. Le FWHM de GaN (0002) évalue pour les échantillons A, B, C, et D a été mesuré à 0.19°, 0.51°, 0.79°, et 1.09°, respectivement. Cependant, l'intensité maximale de XRD augmente pendant que FWHM diminue ; ceci est attribué à l'augmentation de la taille de cristallite due à l'agrégation de petits grains ou au mouvement de joint de grain pendant le processus de croissance. Puisque le FWHM de la crête de diffraction de XRD est relativement au grosseur du grain moyen de cristallite dans le film [26], le grosseur du grain de GaN développé sur les différents substrats est calculé utilisant l'équation de Scherer de ‐ de Debye [27] : D = 0.9λ/FWHMcos θ (1) où D est la taille de cristallite, λ est la longueur d'onde de rayon de ‐ de X, et le θ est l'angle de diffraction. On estime à que les tailles de cristallite des échantillons A, B, C, et D 57, 20, 13, et 9 nanomètre, respectivement. Ces résultats indiquent que le chiffre de c

2. Résultats de mesures de (XRD) de diffraction des rayons X des films de GaN développés sur différents substrats

Conclusion : les lms épais de fi de GaN développés sur un calibre de GaN/saphir, le saphir, le SI (111), et le SI (100) par PLD à hautes températures. L'effet de substrat sur la qualité cristalline de croissance de GaN, la morphologie extérieure, le comportement d'effort, et la propriété d'interface ont été étudiés, si vous avez besoin de plus d'information produit, svp s'enquièrent nous.