XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

MATÉRIEL AVANCÉ CIE., LTD DE XIAMEN POWERWAY.

Manufacturer from China
Membre actif
7 Ans
Accueil / produits / GaN Wafer / Type libre du substrat N de GaN ou semi - isolant pour le rf, la puissance, menée et le LD /

show pictures

Contacter
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Ville:xiamen
Province / État:fujian
Pays / Région:china
Contacter

Type libre du substrat N de GaN ou semi - isolant pour le rf, la puissance, menée et le LD

Type libre du substrat N de GaN ou semi - isolant pour le rf, la puissance, menée et le LD
  • Type libre du substrat N de GaN ou semi - isolant pour le rf, la puissance, menée et le LD
produits détaillés
Substrat libre de GaN, type de N, semi-isolants pour le rf, la puissance, menée et le LD Substrat libre de GaN PAM-XIAMEN a établi la technologie ...
voir produits détaillés →