substrats libres de 2inch N-GaN GaN
PAM-XIAMEN a établi la technologie manufacturière pour (nitrure de gallium) la gaufrette libre de substrat de GaN qui est pour UHB-LED et LD. Développé par technologie de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure, notre substrat de GaN a la basse densité de défaut et moins ou la macro densité libre de défaut.
PAM-XIAMEN offre la gamme complète de GaN et matériaux relatifs d'III-N comprenant des substrats de GaN de diverses orientations et conductivité électrique, calibres de crystallineGaN&AlN, et epiwafers faits sur commande d'III-N.
Montre ici des spécifications de détail :
substrats libres de 2inch N-GaN GaN
| Article | PAM-FS-GaN-50-N |
| Dimension | 50,8 ±1 millimètre |
| Épaisseur | 350 ±25 μm 430±25μm |
| Orientation | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° |
| Orientation plate | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 millimètre |
| Orientation secondaire plate | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 millimètre |
| Type de conduction | de type n |
| Résistivité (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | < 0,05 Ω·cm |
| ARC | -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm |
| Aspérité : | Partie antérieure : Ra<0.2nm, epi-prêt ; Arrière : La terre fine ou poli. |
| Densité de dislocation | De 1 de x 105 à 5 de x 10 6 cm -2 (calculé par le CL) * |
| Macro densité de défaut | < 2 cm-2 |
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de défauts de bord et de macro) |
| Paquet | chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100 |
substrats libres de 2inch N-GaN GaN
La demande croissante en capacités de puissance-manipulation ultra-rapides, à hautes températures et élevées a fait l'industrie de semi-conducteur repenser le choix des matières employées comme semi-conducteurs. Par exemple, pendant que les divers dispositifs de calcul plus rapides et plus petits surgissent, l'utilisation du silicium le rend difficile de soutenir la loi de Moore. Mais également dans l'électronique de puissance, les propriétés du silicium ne sont plus suffisantes pour permettre d'autres améliorations dans l'efficacité de conversion.
Dû à sa tension claque unique de caractéristiques (haut actuel maximum, haut, et haute fréquence de changement), nitrure de gallium (ou GaN) est le matériel unique du choix pour résoudre des problèmes de l'avenir. GaN a basé des systèmes ont l'efficacité de puissance plus élevée, les pertes de puissance de ce fait de réduction, commutent à une plus haute fréquence, de ce fait réduisant la taille et le poids.
RAPPORT de matériel-ESSAI de Transmitance-GaN
Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.
La transmittance de la surface de gaufrette est l'efficacité de sa transmission d'énergie radiative. Comparé au coefficient de transmission, c'est la fraction de la puissance électromagnétique d'incident transmise par l'échantillon, et le coefficient de transmission est le rapport du champ électrique transmis au champ électrique d'incident.
Transmitance de matériel de GaN
