Description de produit
PAM-XIAMEN offre des gaufrettes de carbure de silicium de semi-conducteur, 6H sic et 4H sic dans différentes classes de qualité pour des fabricants de chercheur et d'industrie. Nous a développé la technologie de cristallogénèse sic et la technologie transformatrice de gaufrette sic en cristal, établies une chaîne de production au substrat de fabricant sic, qui est appliqué dans le dispositif d'épitaxie de GaN, les dispositifs de puissance, le dispositif à hautes températures et des dispositifs optoélectroniques. Comme une société professionnelle investie par les principaux fabricants des champs des instituts matériels avancés et de pointe de recherches et d'état et du laboratoire du semi-conducteur de la Chine, nous sont consacrées pour améliorer sans interruption la qualité actuellement des substrats et pour développer les substrats de grande taille.
Montre ici des spécifications de détail :
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
| Polytype |
Monocristal 4H |
Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Empilement de l'ordre |
ABCB |
ABCACB |
| Bande-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densité |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Index de réfraction |
aucun = 2,719 |
aucun = 2,707 |
| |
Ne = 2,777 |
Ne = 2,755 |
| Constante diélectrique |
9,6 |
9,66 |
| Conduction thermique |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Champ électrique de panne |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| mobilité de trou |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs |
~9 |
~9 |
6H N-TYPE sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 2 ″ (50.8mm)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 6H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
6H |
| Diamètre |
(50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Type de transporteur |
de type n |
| Dopant |
Azote |
| Résistivité (RT) |
0,02 | 0,1 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
3.5° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
± 5° du parallèle {1-100} |
| Longueur plate primaire |
± 16,00 1,70 millimètres |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 8,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
1 millimètre |
4H SEMI-ISOLANT sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 2 ″ (50.8mm)
((HPSI) sic le substrat semi-isolant de grande pureté est disponible)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B SEMI |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Résistivité (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe <0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
± 5° du parallèle {1-100} |
| Longueur plate primaire |
± 16,00 1,70 millimètres |
| SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 8,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
1 millimètre |
SIC de type n ou semi-isolant de 4H, 5mm*5mm, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 10mm*10mm : Épaisseur : 330μm/430μm
SIC de type n ou semi-isolant de 4H, 15mm*15mm, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 20mm*20mm : Épaisseur : 330μm/430μm
4H N-TYPE sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 2 ″ (50.8mm)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Type de transporteur |
de type n |
| Dopant |
Azote |
| Résistivité (RT) |
0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation extérieure |
|
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
4°or 8° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
± 5° du parallèle {1-100} |
| Longueur plate primaire |
± 16,00 1,70) millimètre |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 8,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
1 millimètre |
4H N-TYPE sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 3 ″ (76.2mm)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(76,2 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(350 ± 25) μm de μm (430 ± 25) |
| Type de transporteur |
de type n |
| Dopant |
Azote |
| Résistivité (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<25μm |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
4°or 8° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
<11-20>±5.0° |
| Longueur plate primaire |
22,22 mm±3.17mm |
| 0,875 ″ du ″ ±0.125 |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 11,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Éraflure |
Aucun |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
2mm |
4H SEMI-ISOLANT sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 3 ″ (76.2mm)
Le substrat semi-isolant (de grande pureté (HPSI) sic est disponible)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(76,2 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(350 ± 25) μm de μm (430 ± 25) |
| Type de transporteur |
semi-isolant |
| Dopant |
V |
| Résistivité (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<25μm |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
4°or 8° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
<11-20>±5.0° |
| Longueur plate primaire |
22,22 mm±3.17mm |
| 0,875 ″ du ″ ±0.125 |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 11,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Éraflure |
Aucun |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
2mm |
4H N-TYPE sic, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 4 ″ (100mm)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-100-N-PWAM-330 S4H-100-N-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(100,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(350 ± 25) μm de μm (430 ± 25) |
| Type de transporteur |
de type n |
| Dopant |
Azote |
| Résistivité (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
<45μm |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
4°or 8° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
<11-20>±5.0° |
| Longueur plate primaire |
32,50 mm±2.00mm |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 18,00 2,00 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Éraflure |
Aucun |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
2mm |
SIC de type n ou semi-isolant de 4H, 5mm*5mm, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 10mm*10mm : Épaisseur : 330μm/430μm
SIC de type n ou semi-isolant de 4H, 15mm*15mm, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 20mm*20mm : Épaisseur : 330μm/430μm
d'un-avion gaufrette sic, taille : 40mm*10mm, 30mm*10mm, 20mm*10mm, 10mm*10mm, Spéc. ci-dessous :
Type épaisseur de 6H/4H N : 330μm/430μm ou coutume
Épaisseur 6H/4H semi-isolante : 330μm/430μm ou coutume
4H sic, SEMI-ISOLANT, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 4 ″ (100mm)
((HPSI) sic le substrat semi-isolant de grande pureté est disponible)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4H de la catégorie D de recherches de la catégorie C/D de production d'A/B sic |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(100 ± 0,5) millimètre |
| Épaisseur |
(350 ± 25) μm de μm (500 ± 25) |
| Type de transporteur |
Semi-isolant |
| Dopant |
V |
| Résistivité (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
A<30 arcseconde de l'arcseconde B/C/D <50 |
| Densité de Micropipe |
A≤5cm-2 B≤15cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp |
TTV<10μm ; TTV< 25μm ; WARP<45μm |
| Orientation extérieure |
|
| Sur l'axe |
<0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe |
Aucun |
| Orientation plate primaire |
<11-20>±5.0° |
| Longueur plate primaire |
32,50 mm±2.00mm |
| Orientation plate secondaire |
SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 18,00 2,00 millimètres |
| Finition extérieure |
Double visage poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Éraflures |
éraflures <8 à 1 diamètre de gaufrette de x avec la longueur cumulative totale |
| Fissures |
Aucun |
|
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
2mm |
4H sic, N-TYPE, SPÉCIFICATIONS de GAUFRETTE de 6 ″ (150mm)
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-150-N-PWAM-350 |
| Description |
Catégorie factice 2 |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(150 ± 0,2) millimètre |
| Épaisseur |
(350 ± 25) μm |
| Type de transporteur |
de type n |
| Dopant |
Azote |
| Résistivité (RT) |
0,015 – 0.028Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| Densité de Micropipe |
NON-DÉTERMINÉ |
| TTV |
≤30μm |
| Arc |
≤120μm |
| Chaîne |
≤150μm |
|
| Orientation extérieure |
|
| Outre de l'axe |
4° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
<10-10>±5.0° |
| Longueur plate primaire |
47,50 mm±2.50mm |
| Finition extérieure |
Double visage poli |
| Exclusion de bord |
3mm |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
Veuillez voir le sous-catalogue ci-dessous :
type de 6H n sic
type de 4H N sic
4H semi-isolant sic
Sic lingots
Gaufrettes enroulées
Gaufrette de polissage
