grande pureté 4H isolant semi la gaufrette de carbure de silicium, catégorie factice, Epi prêt, 2" taille
PAM-XIAMEN offre des gaufrettes de carbure de silicium de semi-conducteur, 6H sic et 4H sic dans différentes classes de qualité pour des fabricants de chercheur et d'industrie. Nous a développé la technologie de cristallogénèse sic et la technologie transformatrice de gaufrette sic en cristal, établies une chaîne de production au fabricant SiCsubstrate, qui est appliqué dans GaNepitaxydevice, powerdevices, dispositif à hautes températures et des dispositifs optoélectroniques. Comme une société professionnelle investie par les principaux fabricants des champs des instituts matériels avancés et de pointe de recherches et d'état et du laboratoire du semi-conducteur de la Chine, nous sont consacrées pour améliorer sans interruption la qualité actuellement des substrats et pour développer les substrats de grande taille.
Montre ici des spécifications de détail :
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
| Polytype |
Monocristal 4H |
Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| |
c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Empilement de l'ordre |
ABCB |
ABCACB |
| Bande-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densité |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Index de réfraction |
aucun = 2,719 |
aucun = 2,707 |
| |
Ne = 2,777 |
Ne = 2,755 |
| Constante diélectrique |
9,6 |
9,66 |
| Conduction thermique |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Champ électrique de panne |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| mobilité de trou |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs |
~9 |
~9 |
grande pureté 4H isolant semi la gaufrette de carbure de silicium, catégorie factice, Epi prêt, 2" taille
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Description |
Substrat factice de la catégorie 4HSEMI |
| Polytype |
4H |
| Diamètre |
(50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur |
(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Résistivité (RT) |
>1E5 Ω·cm |
| Aspérité |
< 0,5 nanomètres (CMP de SI-visage Epi-prêt) ; <1 nanomètre (poli optique de visage de c) |
| FWHM |
arcseconde <50 |
| Densité de Micropipe |
A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation extérieure |
| Sur l'axe <0001>± 0.5° |
| Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>± 0.5° |
| Orientation plate primaire |
± 5° du parallèle {1-100} |
| Longueur plate primaire |
± 16,00 1,70 millimètres |
| SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation |
| Longueur plate secondaire |
± 8,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure |
Visage simple ou double poli |
| Empaquetage |
Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Secteur utilisable |
≥ 90 % |
| Exclusion de bord |
1 millimètre |
Propriétés de monocristal sic
Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.
Propriété de de carbure de silicium (sic)
Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :
| Propriété |
Valeur |
Conditions |
| Densité |
3217 kg/m^3 |
hexagonal |
| Densité |
3210 kg/m^3 |
cubique |
| Densité |
3200 kg/m^3 |
Monocristal |
| Dureté, Knoop (KH) |
2960 kg/mm/mm |
100g, en céramique, noir |
| Dureté, Knoop (KH) |
2745 kg/mm/mm |
100g, en céramique, vert |
| Dureté, Knoop (KH) |
2480 kg/mm/mm |
Monocristal. |
| Module de Young |
700 GPa |
Monocristal. |
| Module de Young |
410,47 GPa |
En céramique, density=3120 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Module de Young |
401,38 GPa |
En céramique, density=3128 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Conduction thermique |
350 W/m/K |
Monocristal. |
| Limite conventionnelle d'élasticité |
21 GPa |
Monocristal. |
| Capacité de chaleur |
1,46 J/mol/K |
En céramique, à temp=1550 C. |
| Capacité de chaleur |
1,38 J/mol/K |
En céramique, à temp=1350 C. |
| Capacité de chaleur |
1,34 J/mol/K |
En céramique, à temp=1200 C. |
| Capacité de chaleur |
1,25 J/mol/K |
En céramique, à temp=1000 C. |
| Capacité de chaleur |
1,13 J/mol/K |
En céramique, à temp=700 C. |
| Capacité de chaleur |
1,09 J/mol/K |
En céramique, à temp=540 C. |
| Résistivité électrique |
1. 1e+10 Ω*m |
En céramique, à temp=20 C |
| Résistance à la pression |
0,5655. 1,3793 GPa |
En céramique, à temp=25 C |
| Module de la rupture |
0,2897 GPa |
En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance |
| Module de la rupture |
0,1862 GPa |
Ceramifc, à la température ambiante |
| Le coefficient de Poisson |
0,183. 0,192 |
En céramique, à la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m |
| Module de la rupture |
0,1724 GPa |
En céramique, à temp=1300 C |
| Module de la rupture |
0,1034 GPa |
En céramique, à temp=1800 C |
| Module de la rupture |
0,07586 GPa |
En céramique, à temp=1400 C |
| Résistance à la traction |
0,03448. 0,1379 GPa |
En céramique, à temp=25 C |
*Reference : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle
Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :
| Propriété |
Monocristal 4H |
Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis |
a=3.076 Å |
a=3.073 Å |
| c=10.053 Å |
c=15.117 Å |
| Empilement de l'ordre |
ABCB |
ABCACB |
| Bande-Gap |
eV 3,26 |
eV 3,03 |
| Densité |
3,21 · 103 kg/m3 |
3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Index de réfraction |
aucun = 2,719 |
aucun = 2,707 |
| Ne = 2,777 |
Ne = 2,755 |
| Constante diélectrique |
9,6 |
9,66 |
| Conduction thermique |
490 W/mK |
490 W/mK |
| Champ électrique de panne |
2-4 · 108 V/m |
2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation |
2,0 · 105 m/s |
2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons |
800 cm2/V·S |
400 cm2/V·S |
| mobilité de trou |
115 cm2/V·S |
90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs |
~9 |
~9 |
*Reference : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.
Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :
| Sic Polytype |
3C-SiC |
4H-SiC |
6H-SiC |
| Structure cristalline |
Blende de zinc (cubique) |
Wurtzite (hexagonale) |
Wurtzite (hexagonale) |
| Groupe de symétrie |
T2d-F43m |
C46v-P63mc |
C46v-P63mc |
| Module de compressibilité |
cm2 de 2,5 x 1012 dyne |
cm2 de 2,2 x 1012 dyne |
cm2 de 2,2 x 1012 dyne |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique |
2,77 (42) x 10-6 K-1 |
|
|
| La température de Debye |
K 1200 |
K 1300 |
K 1200 |
| Point de fusion |
3103 (40) K |
3103 ± 40 K |
3103 ± 40 K |
| Densité |
3,166 g cm-3 |
3,21 g cm-3 |
3,211 g cm-3 |
| Dureté |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
9.2-9.3 |
| Microdureté extérieure |
2900-3100 kilogrammes mm-2 |
2900-3100 kilogrammes mm-2 |
2900-3100 kilogrammes mm-2 |
| Constante diélectrique (statique) |
ε0 ~= 9,72 |
La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée |
ε0, ~= 9,66 d'ort |
| Indice de réfraction infrarouge |
~=2.55 |
~=2.55 (axe de c) |
~=2.55 (axe de c) |
| Indice de réfraction n (λ) |
~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 |
~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2 |
~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2 |
| Coefficient radiatif de recombinaison |
|
1,5 x 10-12 cm3/s |
1,5 x 10-12 cm3/s |
| Énergie optique de photon |
mev 102,8 |
mev 104,2 |
mev 104,2 |
| La masse d'électron efficace ml (longitudinal) |
0.68mo |
0.677(15) MOIS |
0.29mo |
| La masse d'électron efficace mt (transversal) |
0.25mo |
0.247(11) MOIS |
0.42mo |
| La masse efficace de la densité du mcd d'états |
0.72mo |
0.77mo |
2.34mo |
| La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie |
0.35mo |
0.37mo |
0.71mo |
| La masse efficace de la conductivité MCC |
0.32mo |
0.36mo |
0.57mo |
| La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ? |
0,6 MOIS |
~1,0 MOIS |
~1,0 MOIS |
| Constante de trellis |
a=4.3596 A |
a = 3,0730 A |
a = 3,0730 A |
| b = 10,053 |
b = 10,053 |
* référence : IOFFE
Sic référence du fabricant 4H et sic 6H : PAM-XIAMEN est le promoteur principal mondial de la technologie à semi-conducteur d'éclairage, il offre un en trait plein : De Sinlge de cristal gaufrette sic et gaufrette épitaxiale et sic récupération de gaufrette
Introduction
Des appareils électroniques et les circuits basés sur de semi-conducteur de carbure de silicium (sic) actuellement sont développés
pour l'usage dans à hautes températures, de haute puissance, et conditions de haut-rayonnement dans lequel semi-conducteurs conventionnels
ne peut pas en juste proportion exécuter. La capacité de carbure de silicium de fonctionner dans de telles conditions extrêmes
est prévu permettre des améliorations significatives à une variété de grande envergure d'applications et de systèmes.
Ceux-ci s'étendent de la commutation à haute tension considérablement améliorée pour des économies d'énergie dans le courant électrique public
la distribution et le moteur électrique conduit à l'électronique plus puissante de micro-onde pour le radar et les communications
aux capteurs et aux contrôles pour les avions à réaction et l'automobile plus économes en combustible de brûlage sans scories
moteurs. Dans le secteur particulier des dispositifs de puissance, les évaluations théoriques ont indiqué cela sic
les transistors MOSFET de puissance et les redresseurs de diode fonctionneraient au-dessus d'une tension plus élevée et les températures ambiantes, ont
les caractéristiques supérieures de commutation, mais ont pour mourir des tailles presque 20 fois plus petites qu'également
dispositifs basés sur silicium évalués. Cependant, ces avantages théoriques énormes ont pour être encore largement
réalisé dans sic des dispositifs disponibles dans le commerce, principalement dû au fait ce sics relativement non mûrs
des technologies de fabrication de cristallogénèse et de dispositif ne sont pas encore suffisamment développées au degré exigé
pour l'incorporation fiable dans la plupart des systèmes électroniques.
Ce chapitre examine brièvement sic la technologie de l'électronique de semi-conducteur. En particulier, les différences
(bon et mauvais) entre sic la technologie de l'électronique et la technologie bien connue de VLSI de silicium
sont accentués. Des avantages projetés de représentation sic de l'électronique sont accentués pour des plusieurs grande échelle
applications. Questions principales de cristallogénèse et de dispositif-fabrication qui limitent actuellement la représentation et
la capacité sic de l'électronique à hautes températures et de haute puissance sont identifiées.
