Semi-isolant, gaufrette de GaAs, 3", catégorie principale
PAM-XIAMEN développe et fabrique le cristal et la gaufrette d'arséniure de substrat-gallium de semi-conducteur composé. Nous technologie transformatrice a employé la technologie avancée de cristallogénèse, le gel vertical de gradient (VGF) et de GaAs gaufrette, a établi une chaîne de production de la cristallogénèse, coupe, rectifiant au traitement de polissage et a établi une salle propre de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage de gaufrette. Notre gaufrette de GaAs incluent le lingot/gaufrettes de 2~6 pouces pour la LED, le LD et les applications de la microélectronique. Nous sommes toujours consacrés pour améliorer la qualité actuellement des sous-états et pour développer les substrats de grande taille.
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs), semi-isolantes pour des applications de la microélectronique
| Article |
Caractéristiques |
Remarques |
| Type de conduction |
Isolation |
|
| Méthode de croissance |
VGF |
|
| Dopant |
Non dopé |
|
| Gaufrette Diamter |
3, pouce |
Lingot disponible |
| Orientation en cristal |
(100) +/- 0.5° |
|
| DE |
EJ, les USA ou entaille |
|
| Concentration en transporteur |
Non-déterminé |
|
| Résistivité à la droite |
>1E7 Ohm.cm |
|
| Mobilité |
>5000 cm2/V.sec |
|
| Densité de mine gravure à l'eau forte |
<8000 /cm2 |
|
| Inscription de laser |
sur demande |
|
| Finition extérieure |
P/P |
|
| Épaisseur |
350~675um |
|
| Épitaxie prête |
Oui |
|
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Propriétés de cristal de GaAs
| Propriétés |
GaAs |
| Atoms/cm3 |
4,42 x 1022 |
| Poids atomique |
144,63 |
| Champ de panne |
approximativement 4 x 105 |
| Structure cristalline |
Zincblende |
| Densité (g/cm3) |
5,32 |
| Constante diélectrique |
13,1 |
| Densité efficace des états dans la bande de conduction, OR (cm-3) |
4,7 x 1017 |
| Densité efficace des états dans la bande de valence, nanovolt (cm-3) |
7,0 x 1018 |
| Affinité d'électron (v) |
4,07 |
| Domaine d'énergie à 300K (eV) |
1,424 |
| Concentration en transporteur intrinsèque (cm-3) |
1,79 x 106 |
| Longueur de Debye intrinsèque (microns) |
2250 |
| Résistivité intrinsèque (ohm-cm) |
108 |
| Constante de trellis (angströms) |
5,6533 |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique, |
6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 deg. C) |
| Point de fusion (deg. C) |
1238 |
| Vie de transporteur de minorité (s) |
approximativement 10-8 |
| Mobilité (dérive) |
8500 |
| (cm2 de /V-s) |
| µn, électrons |
| Mobilité (dérive) |
400 |
| (cm2 de /V-s) |
| µp, trous |
| Énergie optique (eV) de phonon |
0,035 |
| Parcours moyen de phonon libre (angströms) |
58 |
| La chaleur spécifique |
0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conduction thermique à 300 K |
0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Diffusivité thermique (cm2/sec) |
0,24 |
| Pression de vapeur (Pa) |
100 à 1050 deg. C ; |
| 1 à 900 deg. C |
| Longueur d'onde |
Index |
| (µm) |
| 2,6 |
3,3239 |
| 2,8 |
3,3204 |
| 3 |
3,3169 |
| 3,2 |
3,3149 |
| 3,4 |
3,3129 |
| 3,6 |
3,3109 |
| 3,8 |
3,3089 |
| 4 |
3,3069 |
| 4,2 |
3,3057 |
| 4,4 |
3,3045 |
| 4,6 |
3,3034 |
| 4,8 |
3,3022 |
| 5 |
3,301 |
| 5,2 |
3,3001 |
| 5,4 |
3,2991 |
| 5,6 |
3,2982 |
| 5,8 |
3,2972 |
| 6 |
3,2963 |
| 6,2 |
3,2955 |
| 6,4 |
3,2947 |
| 6,6 |
3,2939 |
| 6,8 |
3,2931 |
| 7 |
3,2923 |
| 7,2 |
3,2914 |
| 7,4 |
3,2905 |
| 7,6 |
3,2896 |
| 7,8 |
3,2887 |
| 8 |
3,2878 |
| 8,2 |
3,2868 |
| 8,4 |
3,2859 |
| 8,6 |
3,2849 |
| 8,8 |
3,284 |
| 9 |
3,283 |
| 9,2 |
3,2818 |
| 9,4 |
3,2806 |
| 9,6 |
3,2794 |
| 9,8 |
3,2782 |
| 10 |
3,277 |
| 10,2 |
3,2761 |
| 10,4 |
3,2752 |
| 10,6 |
3,2743 |
| 10,8 |
3,2734 |
| 11 |
3,2725 |
| 11,2 |
3,2713 |
| 11,4 |
3,2701 |
| 11,6 |
3,269 |
| 11,8 |
3,2678 |
| 12 |
3,2666 |
| 12,2 |
3,2651 |
| 12,4 |
3,2635 |
| 12,6 |
3,262 |
| 12,8 |
3,2604 |
| 13 |
3,2589 |
| 13,2 |
3,2573 |
| 13,4 |
3,2557 |
| 13,6 |
3,2541 |
Quelle est une gaufrette d'essai de GaAs ?
La plupart des gaufrettes d'essai de GaAs sont des gaufrettes qui sont tombées hors des caractéristiques principales. Des gaufrettes d'essai peuvent être employées pour courir les marathons, équipement de test et pour la R&D à extrémité élevé. Elles sont souvent une alternative rentable pour amorcer des gaufrettes.
Quels sont les paramètres de base 300 au K de la gaufrette de GaAs ?
| Structure cristalline |
Blende de zinc |
| Groupe de symétrie |
Td2-F43m |
| Nombre d'atomes dans 1 cm3 |
4,42·1022 |
| longueur d'onde d'électron de Broglie |
240 A |
| La température de Debye |
360 K |
| Densité |
5,32 g cm-3 |
| Constante diélectrique (statique) |
12,9 |
| Constante diélectrique (haute fréquence) |
10,89 |
| La masse d'électron efficace je |
0.063mo |
| Le trou efficace amasse le MH |
0.51mo |
| Le trou efficace amasse le mlp |
0.082mo |
| Affinité d'électron |
eV 4,07 |
| Constante de trellis |
5,65325 A |
| Énergie optique de phonon |
0,035 eV |
Recherchez-vous la gaufrette de GaAs ?
PAM-XIAMEN est votre aller-à l'endroit pour tout des gaufrettes, y compris des gaufrettes de GaAs, comme nous l'avions fait pendant presque 30 années ! Enquérez-vous nous aujourd'hui pour apprendre plus au sujet des gaufrettes que nous offrons et de la façon dont nous pouvons vous aider avec votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !
