N dactylographient, la gaufrette d'arséniure de gallium, 4", catégorie principale
PAM-XIAMEN développe et fabrique le cristal et la gaufrette d'arséniure de substrat-gallium de semi-conducteur composé. Nous technologie transformatrice a employé la technologie avancée de cristallogénèse, le gel vertical de gradient (VGF) et de GaAs gaufrette, a établi une chaîne de production de la cristallogénèse, coupe, rectifiant au traitement de polissage et a établi une salle propre de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage de gaufrette. Notre gaufrette de GaAs incluent le lingot/gaufrettes de 2~6 pouces pour la LED, le LD et les applications de la microélectronique. Nous sommes toujours consacrés pour améliorer la qualité actuellement des sous-états et pour développer les substrats de grande taille.
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LED
| Article | Caractéristiques | |
| Type de conduction | SC/n-type |
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Silicium |
| Gaufrette Diamter | 4, pouce |
| Orientation en cristal | (100) 2°/6°/15° outre de (110) |
| DE | EJ ou les USA |
| Concentration en transporteur | (0.4~2.5) E18/cm3 |
| Résistivité à la droite | (1.5~9) E-3 Ohm.cm |
| Mobilité | 1500~3000cm2/V.sec |
| Densité de mine gravure à l'eau forte | <5000/cm2 |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition extérieure | P/E ou P/P |
| Épaisseur | 220~450um |
| Épitaxie prête | Oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LD
| Article | Caractéristiques | Remarques |
| Type de conduction | SC/n-type | |
| Méthode de croissance | VGF | |
| Dopant | Silicium | |
| Gaufrette Diamter | 4, pouce | Lingot ou comme-coupe disponible |
| Orientation en cristal | (100) 2°/6°/15°off (110) | L'autre misorientation disponible |
| DE | EJ ou les USA | |
| Concentration en transporteur | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Résistivité à la droite | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilité | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Densité de mine gravure à l'eau forte | <500/cm2 | |
| Inscription de laser | sur demande | |
| Finition extérieure | P/E ou P/P | |
| Épaisseur | 220~350um | |
| Épitaxie prête | Oui | |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Propriétés de cristal de GaAs
| Propriétés | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Poids atomique | 144,63 |
| Champ de panne | approximativement 4 x 105 |
| Structure cristalline | Zincblende |
| Densité (g/cm3) | 5,32 |
| Constante diélectrique | 13,1 |
| Densité efficace des états dans la bande de conduction, OR (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densité efficace des états dans la bande de valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Affinité d'électron (v) | 4,07 |
| Domaine d'énergie à 300K (eV) | 1,424 |
| Concentration en transporteur intrinsèque (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Longueur de Debye intrinsèque (microns) | 2250 |
| Résistivité intrinsèque (ohm-cm) | 108 |
| Constante de trellis (angströms) | 5,6533 |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 deg. C) |
| Point de fusion (deg. C) | 1238 |
| Vie de transporteur de minorité (s) | approximativement 10-8 |
| Mobilité (dérive) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) |
| µn, électrons |
| Mobilité (dérive) | 400 |
| (cm2 de /V-s) |
| µp, trous |
| Énergie optique (eV) de phonon | 0,035 |
| Parcours moyen de phonon libre (angströms) | 58 |
| La chaleur spécifique | 0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conduction thermique à 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Diffusivité thermique (cm2/sec) | 0,24 |
| Pression de vapeur (Pa) | 100 à 1050 deg. C ; |
| 1 à 900 deg. C |
| |
| Longueur d'onde | Index |
| (µm) |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Quelle est une gaufrette d'essai de GaAs ?
La plupart des gaufrettes d'essai de GaAs sont des gaufrettes qui sont tombées hors des caractéristiques principales. Des gaufrettes d'essai peuvent être employées pour courir les marathons, équipement de test et pour la R&D à extrémité élevé. Elles sont souvent une alternative rentable pour amorcer des gaufrettes.
Quelles sont les propriétés thermiques de la gaufrette de GaAs ?
| Module de compressibilité | 7,53·cm2 de 1011 dyne |
| Point de fusion | °C 1240 |
| La chaleur spécifique | 0,33 J g-1°C -1 |
| Conduction thermique | 0,55 °C -1 de W cm-1 |
| Diffusivité thermique | 0.31cm2s-1 |
| Dilatation thermique, linéaire | 5,73·10-6 °C -1 |
 | La dépendance de la température de la conduction thermique
échantillon de type n, no (cm-3) : 1. 1016 ; 2. 1,4·1016 ; 3. 1018 ;
échantillon de type p, PO (cm-3) : 4. 3·1018 ; 5. 1,2·1019.
|
| La dépendance de la température de la conduction thermique (pour la haute température)
échantillon de type n, no (cm-3) : 1. 7·1015 ; 2. 5·1016 ; 3. 4·1017 ; 4. 8·1018 ;
échantillon de type p, PO (cm-3) : 5. 6·1019.
|
| La dépendance de la température de la chaleur spécifique à la pression constante Ccl= 3kbN = 0,345 J g-1°C -1.
N est le nombre d'atomes dans 1 og GaAs de g.
Ligne tirée : Cp= (4π2Ccl/5θo3)·T3 pour le θo= 345 K.
|
| La dépendance de la température du α linéaire de coefficient d'expansion
|
| Point de fusion | Tm=1513 K |
| Pour 0 < P < 45 kbar | Tm= 1513 - 3.5P (P dans kbar) |
| Pression de vapeur saturée | (en Pascal) |
| K 1173 | 1 |
| K 1323 | 100 |
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