Type de N, substrat de GaAs par VGF, 3", diodes lasers de catégorie et LED principales
PAM-XIAMEN fournit monocristal et la gaufrette polycristalline de GaAs (arséniure de gallium) pour l'industrie d'optoélectronique et de microélectronique pour faire le LD, la LED, le circuit à micro-ondes et les demandes de pile solaire, les gaufrettes est dans la gamme de diamètre de 2" à 6" dans diverses épaisseurs et orientations. Nous offrons la gaufrette du monocristal GaAs produite par deux techniques principales LEC de croissance et méthode de VGF, nous permettant de fournir à des clients le choix le plus large du matériel de GaAs l'uniformité élevée des propriétés électriques et de l'excellente qualité extérieure. L'arséniure de gallium peut être fourni comme lingots et gaufrette polie, conduisant et la gaufrette semi-isolante de GaAs, la catégorie mécanique et la catégorie prête sont toutes d'epi disponibles. Nous pouvons offrir la gaufrette de GaAs avec la valeur basse d'EPD et la qualité extérieure élevée appropriées à vos applications de MOCVD et de MBE. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, et catégorie optique. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LED
| Article | Caractéristiques | |
| Type de conduction | SC/n-type |
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Silicium |
| Gaufrette Diamter | 3, pouce |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15° outre de (110) |
| DE | EJ ou les USA |
| Concentration en transporteur | (0.4~2.5) E18/cm3 |
| Résistivité à la droite | (1.5~9) E-3 Ohm.cm |
| Mobilité | 1500~3000cm2/V.sec |
| Gravure à l'eau forte Pit Density | <5000/cm2 |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition extérieure | P/E ou P/P |
| Épaisseur | 220~450um |
| Épitaxie prête | Oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LD
| Article | Caractéristiques | Remarques |
| Type de conduction | SC/n-type | |
| Méthode de croissance | VGF | |
| Dopant | Silicium | |
| Gaufrette Diamter | 3, pouce | Lingot ou comme-coupe disponible |
| Crystal Orientation | (100) 2°/6°/15°off (110) | L'autre misorientation disponible |
| DE | EJ ou les USA | |
| Concentration en transporteur | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Résistivité à la droite | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Mobilité | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Gravure à l'eau forte Pit Density | <500/cm2 | |
| Inscription de laser | sur demande | |
| Finition extérieure | P/E ou P/P | |
| Épaisseur | 220~350um | |
| Épitaxie prête | Oui | |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Propriétés de cristal de GaAs
| Propriétés | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Poids atomique | 144,63 |
| Champ de panne | approximativement 4 x 105 |
| Crystal Structure | Zincblende |
| Densité (g/cm3) | 5,32 |
| Constante diélectrique | 13,1 |
| Densité efficace des états dans la bande de conduction, OR (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densité efficace des états dans Valence Band, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Affinité d'électron (v) | 4,07 |
| Domaine d'énergie à 300K (eV) | 1,424 |
| Concentration en transporteur intrinsèque (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Debye Length intrinsèque (microns) | 2250 |
| Résistivité intrinsèque (ohm-cm) | 108 |
| Constante de trellis (angströms) | 5,6533 |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 deg. C) |
| Point de fusion (deg. C) | 1238 |
| Vie de transporteur de minorité (s) | approximativement 10-8 |
| Mobilité (dérive) | 8500 |
| (cm2/V-s) |
| µn, électrons |
| Mobilité (dérive) | 400 |
| (cm2/V-s) |
| µp, trous |
| Énergie optique de phonon (eV) | 0,035 |
| Parcours moyen de phonon libre (angströms) | 58 |
| La chaleur spécifique | 0,35 |
| (J/g-deg C) |
| Conduction thermique à 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) |
| Diffusivité thermique (cm2/sec) | 0,24 |
| Pression de vapeur (PA) | 100 à 1050 deg. C ; |
| 1 à 900 deg. C |
| |
| Longueur d'onde | Indexez |
| (µm) |
| 2,6 | 3,3239 |
| 2,8 | 3,3204 |
| 3 | 3,3169 |
| 3,2 | 3,3149 |
| 3,4 | 3,3129 |
| 3,6 | 3,3109 |
| 3,8 | 3,3089 |
| 4 | 3,3069 |
| 4,2 | 3,3057 |
| 4,4 | 3,3045 |
| 4,6 | 3,3034 |
| 4,8 | 3,3022 |
| 5 | 3,301 |
| 5,2 | 3,3001 |
| 5,4 | 3,2991 |
| 5,6 | 3,2982 |
| 5,8 | 3,2972 |
| 6 | 3,2963 |
| 6,2 | 3,2955 |
| 6,4 | 3,2947 |
| 6,6 | 3,2939 |
| 6,8 | 3,2931 |
| 7 | 3,2923 |
| 7,2 | 3,2914 |
| 7,4 | 3,2905 |
| 7,6 | 3,2896 |
| 7,8 | 3,2887 |
| 8 | 3,2878 |
| 8,2 | 3,2868 |
| 8,4 | 3,2859 |
| 8,6 | 3,2849 |
| 8,8 | 3,284 |
| 9 | 3,283 |
| 9,2 | 3,2818 |
| 9,4 | 3,2806 |
| 9,6 | 3,2794 |
| 9,8 | 3,2782 |
| 10 | 3,277 |
| 10,2 | 3,2761 |
| 10,4 | 3,2752 |
| 10,6 | 3,2743 |
| 10,8 | 3,2734 |
| 11 | 3,2725 |
| 11,2 | 3,2713 |
| 11,4 | 3,2701 |
| 11,6 | 3,269 |
| 11,8 | 3,2678 |
| 12 | 3,2666 |
| 12,2 | 3,2651 |
| 12,4 | 3,2635 |
| 12,6 | 3,262 |
| 12,8 | 3,2604 |
| 13 | 3,2589 |
| 13,2 | 3,2573 |
| 13,4 | 3,2557 |
| 13,6 | 3,2541 |
Quel est le processus de GaAs ?
Des gaufrettes de GaAs doivent être préparées avant la fabrication de dispositif. Pour commencer, elles doivent être complètement nettoyées pour enlever n'importe quels dommages qui pourraient s'être produits pendant le processus de découpage en tranches. Les gaufrettes alors sont chimiquement mécaniquement polies/Plaranrized (CMP) pour l'étape matérielle finale de retrait. Ceci tient compte de l'accomplissement des surfaces comme un miroir superbe-plates avec une rugosité restante sur une échelle atomique. Ensuite cela est accompli, la gaufrette est prêt pour la fabrication.
Ce qui est les propriétés électriques de la gaufrette de GaAs
Paramètres de base
| Champ de panne | ≈4·105 V/cm |
| Électrons de mobilité | cm2 de ≤8500 V-1s-1 |
| Trous de mobilité | cm2 de ≤400 V-1s-1 |
| Électrons de coefficient de diffusion | ≤200 cm2/s |
| Trous de coefficient de diffusion | ≤10 cm2/s |
| Vitesse thermique d'électron | 4,4·105 m/s |
| Vitesse thermique de trou | 1,8·105m/s |
Mobilité et Hall Effect
Mobilité de hall d'électron contre la température pour différents niveaux de dopage.
1. Courbe inférieure : Nd=5·1015cm-3 ;
2. courbe moyenne : Nd=1015cm-3 ;
3. Courbe supérieure : Nd=5·1015cm-3
Pour la GaAs faiblement enduite à la température de près de 300 K, mobilité de hall d'électron
µH=9400 (300/T) cm2 de V-1 S1 |
Mobilité de hall d'électron contre la température pour différents niveaux et degrés de dopage de compensation (hautes températures) :
Cercles ouverts : Nd=4Na=1.2·1017 cm-3 ;
Places ouvertes : Nd=4Na=1016 cm-3 ;
Triangles ouvertes : Nd=3Na=2·1015 cm-3 ;
La courbe solide représente le calcul pour la GaAs pure
Pour la GaAs faiblement enduite à la température de près de 300 K, mobilité de glissement des électrons
µn=8000 (300/T) 2/3 cm2 de V-1 S1 |
Mobilité de dérive et de hall contre la concentration d'électron pour différents degrés de compensation T= 77 K
|
Mobilité de dérive et de hall contre la concentration d'électron pour différents degrés de compensation T= 300 K
|
Formule approximative pour la mobilité de hall
. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) 1/2, où ΜOH≈9400 (cm2 de V-1 S1), ND dans cm-3
.
La dépendance de la température du facteur de Hall pour la GaAs de type n pure dans un champ magnétique faible
|
La dépendance de la température de la mobilité de hall pour trois échantillons de grande pureté
|
Pour la GaAs aux températures de près de 300 K, mobilité de hall de trou
(cm2V-1s-1), (p - dans cm-3)
Pour la GaAs faiblement enduite à la température de près de 300 K, mobilité de hall
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2 de V-1 S1).
La mobilité de hall de trou contre la densité de trou.
|
Chez T= 300 K, le facteur de Hall dans la GaAs pure
rH=1.25.
Propriétés de transport dans les champs électriques élevés
Les dépendances de champ de la vitesse de glissement des électrons.
La courbe solide a été calculée par
Les courbes précipitées et pointillées sont les données mesurées, 300 K |
Les dépendances de champ de la vitesse de glissement des électrons pour les champs électriques élevés, 300 K.
|
Les dépendances de champ de la vitesse de glissement des électrons aux différentes températures.
|
Fraction des électrons en vallées de L et de X. le NL et nX en fonction du champ électrique F à 77, à 160, et à 300 K, Nd=0
Courbe pointillée - L vallées, courbe à tiret - vallées X. |
Énergie moyenne E dans Γ, L, et X vallées en fonction du champ électrique F à 77, à 160, et à 300 K, Nd=0
Courbe solide - vallées de Γ, courbe pointillée - L vallées, courbe à tiret - vallées X. |
Les dépendances de fréquence de la mobilité différentielle d'électron.
le µd est partie réelle de la mobilité différentielle ; pièce imaginaire de µd*is de mobilité différentielle.
F= 5,5 kilovolts cm-1
|
La dépendance de champ du coefficient de diffusion longitudinal d'électron D||F.
Les courbes solides 1 et 2 sont des calculs théoriques. Les courbes précipitées 3, 4, et 5 sont des données expérimentales.
Courbe 1 - de
Courbe 2 - de
Courbe 3 - de
Courbe 4 - de
Courbe 5 - |
Les dépendances de champ de la vitesse de dérive de trou aux différentes températures.
|
La dépendance de la température de la vitesse de trou de saturation dans les champs électriques élevés
|
La dépendance de champ du coefficient de diffusion de trou.
|
Ionisation d'impact
Il y a deux écoles de pensée concernant l'ionisation d'impact dans la GaAs.
Les déclarer premier qui effectuent le αi et le βi de taux d'ionisation pour des électrons et des trous dans la GaAs sont connus assez exactement pour distinguer de tels détails subtils tels que l'anisothropy du αi et du βi pour différentes directions cristallographiques. Cette approche est décrite en détail dans le travail par Dmitriev et autres [1987].
Αi et βi expérimentaux de courbes contre 1/F pour la GaAs.
|
Αi et βi expérimentaux de courbes contre 1/F pour la GaAs.
|
Αi et βi expérimentaux de courbes contre 1/F pour la GaAs.
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Les deuxièmes foyers d'école sur les valeurs du αi et le βi pour le même champ électrique rapporté par différent recherche diffèrent par un ordre de grandeur ou davantage. Ce point de vue est expliqué par Kyuregyan et Yurkov [1989]. Selon cette approche nous pouvons supposer que αi = βi. Formule approximative pour la dépendance de champ des taux d'ionisation :
=αoexp de αi = de β i [δ - (δ2 + (F0/F) 2) 1/2]
là où αo = 0,245·106 cm-1 ; β = 57,6 les FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan et Yurkov [1989]).
| Tension claque et champ de panne contre enduire la densité pour une jonction brusque de PN. |
Paramètre de recombinaison
| Matériel de type n pur (non | 1014cm-3) | |
| La plus longue vie des trous | τp ~3·10-6 s |
| Longueur de diffusion Lp = (DP·τp) 1/2 | Μm de Lp ~30-50. |
| Matériel de type p pur | |
| () un niveau bas d'injection | |
| La plus longue vie des électrons | τn | 5·10-9 s |
| Longueur de diffusion Ln = (DN·τ n) 1/2 | Μm de Ln ~10 |
| (b) niveau élevé d'injection (pièges remplis) | |
| La plus longue vie des électrons | τ ~2,5·10-7 s |
| Longueur de diffusion Ln | Ln | µm 70 |
Vitesse de recombinaison extérieure contre enduire la densité
Les différents points expérimentaux correspondent à différentes méthodes de préparation de surface. |
Coefficient radiatif de recombinaison
| 90 K | 1,8·10-8cm3/s |
| 185 K | 1,9·10-9cm3/s |
| 300 K | 7,2·10-10cm3/s |
Coefficient de foreuse
| 300 K | ~10-30cm6/s |
| 500 K | ~10-29cm6/s |
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