P dactylographient, le substrat d'INP, 3", catégorie principale
PAM-XIAMEN fournit la gaufrette d'INP de monocristal (phosphure d'indium) pour l'industrie microélectronique (HEMT de HBT/) et optoélectronique (LED/DWDM/PIN/VCSELs) de diamètre jusqu'à 6 pouces. Le cristal de (InP) de phosphure d'indium est constitué par deux éléments, indiums et phosphures, croissance par la méthode de Czochralski encapsulée par liquide (LEC) ou la méthode de VGF. La gaufrette d'INP est un matériel important de semi-conducteur qui ont des propriétés électriques et thermiques supérieures, gaufrette d'INP a une mobilité des électrons plus élevée, une plus haute fréquence, une consommation de puissance faible, une conduction thermique plus élevée et une interprétation à faible bruit. PAM-XIAMEN peut fournir la gaufrette prête d'INP de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
P dactylographient, le substrat d'INP, 3", catégorie principale
| 3" spécifications de gaufrette d'INP |
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| Article |
Caractéristiques |
| Type de conduction |
de type p |
| Dopant |
Zinc |
| Diamètre de gaufrette |
3" |
| Orientation de gaufrette |
100±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette |
600±25um |
| Longueur plate primaire |
16±2mm |
| Longueur plate secondaire |
8±1mm |
| Concentration en transporteur |
≤3x1016cm-3 |
(0.8-6) x1018cm-3 |
(0.6-6) x1018cm-3 |
NON-DÉTERMINÉ |
| Mobilité |
(3.5-4) x103cm2/V.s |
(1.5-3.5) x103cm2/V.s |
50-70cm2/V.s |
>1000cm2/V.s |
| Résistivité |
NON-DÉTERMINÉ |
NON-DÉTERMINÉ |
NON-DÉTERMINÉ |
>0.5x107Ω.cm |
| EPD |
<1000cm-2 |
<500cm-2 |
<1x103cm-2 |
<5x103cm-2 |
| TTV |
<12um |
| ARC |
<12um |
| CHAÎNE |
<15um |
| Inscription de laser |
sur demande |
| Finition de Suface |
P/E, P/P |
| Epi prêt |
oui |
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Quel est phosphure d'indium ?
Car nous avons touché dessus dans l'introduction, le phosphure d'indium est un semi-conducteur fait d'indium et phosphore. Il est employé dans la puissance élevée et l'électronique à haute fréquence et a une vitesse élevée d'électron. En fait, la vitesse d'électron de l'INP est sensiblement plus haute que d'autres semi-conducteurs plus communs tels que l'arséniure de silicium et de gallium. On le trouve également dans des dispositifs optoélectroniques tels que des diodes lasers.
Paramètres de base
| Champ de panne |
≈5·105 V cm-1 |
| Électrons de mobilité |
≤5400 cm2V-1s-1 |
| Trous de mobilité |
cm2 de ≤200 V-1s-1 |
| Électrons de coefficient de diffusion |
cm2 de ≤130 S1 |
| Trous de coefficient de diffusion |
cm2 de ≤5 S1 |
| Vitesse de courant ascendant d'électron |
3,9·105 m S1 |
| Vitesse de courant ascendant de trou |
1,7·105 m S1 |
Utilisations
L'INP est utilisé dans l'électronique de haute puissance et à haute fréquence [citation requise] en raison de sa vitesse supérieure d'électron en ce qui concerne les semi-conducteurs plus communs silicium et l'arséniure de gallium.
Il a été employé avec de l'arséniure de gallium d'indium pour noter cassant l'hétérojonction pseudo-morphique le transistor bipolaire qui pourrait fonctionner à 604 gigahertz.
Il a également un bandgap direct, le rendant utile pour des dispositifs d'optoélectronique comme des diodes lasers. La société Infinera emploie le phosphure d'indium en tant que son matériel technologique principal pour fabriquer les circuits intégrés photoniques pour l'industrie des télécommunications optique, pour permettre des applications de multiplexage de longueur d'onde-division.
L'INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs optoélectroniques basés épitaxiaux d'arséniure de gallium d'indium.
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