N dactylographient, la gaufrette d'INP, 2", catégorie d'essai
PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes de phosphure d'indium de monocristal de grande pureté pour des applications d'optoélectronique. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 25,4 millimètres (1 pouce) à 200 millimètres (6 pouces) dans la taille ; des gaufrettes peuvent être produites dans diverses épaisseurs et orientations avec les côtés polis ou non polis et peuvent inclure des dopants. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie technique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offrent également des matériaux aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.
N dactylographient, la gaufrette d'INP, 2", catégorie d'essai
| 2" spécifications de gaufrette d'INP | | | |
| Article | Caractéristiques |
| Type de conduction | de type n | de type n |
| Dopant | Non dopé | Soufre |
| Diamètre de gaufrette | 2" |
| Orientation de gaufrette | 100±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 350±25um |
| Longueur plate primaire | 16±2mm |
| Longueur plate secondaire | 8±1mm |
| Concentration en transporteur | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | NON-DÉTERMINÉ |
| Mobilité | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Résistivité | NON-DÉTERMINÉ | NON-DÉTERMINÉ | NON-DÉTERMINÉ | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm-2 | <500cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <10um |
| ARC | <10um |
| CHAÎNE | <12um |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Quelle est gaufrette d'INP ?
Le phosphure d'indium est un semblable matériel semi-conducteur à la GaAs et au silicium mais est vraiment beaucoup un produit de créneau. Il est très efficace à développer le traitement très ultra-rapide et est plus cher que la GaAs en raison des grandes longueurs de recueillir et développer les ingrédients. Jetons un coup d'oeil à encore plus de faits sur le phosphure d'indium comme il concerne une gaufrette d'INP.
Paramètres de recombinaison
| Matériel de type n pur (aucun | 10-14cm-3) | |
| La plus longue vie des trous | τp | 3·10-6 s |
| Longueur de diffusion Lp = (DP·τp) 1/2 | Lp | µm 40. |
| Matériel de type p pur (PO | 1015cm-3) | |
| (a) niveau bas d'injection | |
| La plus longue vie des électrons | τn | 2·10-9 s |
| Longueur de diffusion Ln = (DN·τn) 1/2 | Ln | µm 8 |
| (b) niveau élevé d'injection (pièges remplis) | |
| La plus longue vie des électrons | τ | 10-8 s |
| Longueur de diffusion Ln | Ln | µm 25 |
Si le niveau de Fermi extérieur EFS est goupillé près du mi-vide (EFS | par exemple /2) la vitesse de recombinaison extérieure augmente de ~5·10-3cm/s pour enduire le niveau no~3·1015 cm-3 à ~106 cm/s pour enduire le niveau aucun | 3·1018cm-3 ( de de Bothra et autres [1991]).
| Coefficient radiatif de recombinaison (300 K) | 1,2·10-10 cm3/s |
| Coefficient de foreuse (300 K) | ~9·10-31 cm6/s |
Utilisations
L'INP est utilisé dans l'électronique de haute puissance et à haute fréquence [citation requise] en raison de sa vitesse supérieure d'électron en ce qui concerne les semi-conducteurs plus communs silicium et l'arséniure de gallium.
Il a été employé avec de l'arséniure de gallium d'indium pour noter cassant l'hétérojonction pseudo-morphique le transistor bipolaire qui pourrait fonctionner à 604 gigahertz.
Il a également un bandgap direct, le rendant utile pour des dispositifs d'optoélectronique comme des diodes lasers. La société Infinera emploie le phosphure d'indium en tant que son matériel technologique principal pour fabriquer les circuits intégrés photoniques pour l'industrie des télécommunications optique, pour permettre des applications de multiplexage de longueur d'onde-division.
L'INP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs optoélectroniques basés épitaxiaux d'arséniure de gallium d'indium.
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