N dactylographient, la gaufrette d'arséniure d'indium, 4", catégorie principale
PAM-XIAMEN fournit la gaufrette d'InAs de monocristal (arséniure d'indium) pour les détecteurs infrarouges, les détecteurs photovoltaïques de photodiodes, lasers de diode dans des applications plus à faible bruit ou plus de haute puissance à la température ambiante. de diamètre jusqu'à 4 pouces. Le cristal de (InAs) d'arséniure d'indium est constitué par deux éléments, indiums et arséniures, croissance par la méthode de Czochralski encapsulée par liquide (LEC) ou la méthode de VGF. L'IS-IS de gaufrette d'InAs semblable à l'arséniure de gallium et est un matériel direct de bandgap.
L'arséniure d'indium est parfois employé ainsi que le phosphure d'indium. Allié avec de l'arséniure de gallium il forme l'arséniure de gallium d'indium - un matériel avec la personne à charge d'espace de bande sur le rapport d'In/Ga, une méthode principalement semblable à la nitrure de alliage d'indium avec de la nitrure de gallium pour rapporter la nitrure de gallium d'indium. PAM-XIAMEN peut fournir la gaufrette prête d'InAs de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
4" spécifications de gaufrette d'InAs
| Article | Caractéristiques |
| Dopant | Stannum | Soufre |
| Type de conduction | de type n | de type n |
| Diamètre de gaufrette | 4" |
| Orientation de gaufrette | (100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 900±25um |
| Longueur plate primaire | 16±2mm |
| Longueur plate secondaire | 8±1mm |
| Concentration en transporteur | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Mobilité | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <15um |
| ARC | <15um |
| CHAÎNE | <20um |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Quelle est une gaufrette d'essai d'InAs ?
La plupart des gaufrettes d'essai sont des gaufrettes qui sont tombées hors des caractéristiques principales. Des gaufrettes d'essai peuvent être employées pour courir les marathons, équipement de test et pour la R&D à extrémité élevé. Elles sont souvent une alternative rentable pour amorcer des gaufrettes.
Propriétés thermiques de gaufrette d'InAs
| Module de compressibilité | 5,8·cm2 de 1011 dyne |
| Point de fusion | °C 942 |
| La chaleur spécifique | 0,25 J g-1 °C-1 |
| Conduction thermique | 0,27 W cm-1 °C-1 |
| Diffusivité thermique | 0,19 cm2s-1 |
| Dilatation thermique, linéaire | 4,52·10-6 °C-1 |
 | La dépendance de la température de la conduction thermique.
échantillon de type n, no (cm-3) : 1. 1,6·1016 ; 2. 2,0·1017 ;
échantillon de type p, PO (cm-3) : 3. 2,0·1017.
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| Les dépendances de la température de la conduction thermique pour des hautes températures
Concentration d'électron
no (cm-3) : 1. 5·1016 ; 2. 2·1016 ; 3. 3·1016. |
| La dépendance de la température de la chaleur spécifique à la pression constante
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Pour 298K < T < 1215K
Cp= 0,240 + 3,97·10-5·T (J g-1°C -1).
| La dépendance de la température du coefficient linéaire d'expansion
(basse température)
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| La dépendance de la température du coefficient linéaire d'expansion
(haute température)
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| Les dépendances de la température du coefficient de Nernst (effet transversal de Nernst-Ettinghausen)
Concentration d'électron à 77K
no (cm-3) : 1. 2,96·1016 ; 2. 4,46·1016 ; 3. 8,43·1016 ; 4. 4,53·1017 ; 5. 1,56·1018 ; 6. 2,28·1018 ; 7. 5·1018 ; 8. 1,68·1019.
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Point de fusion le TM = K. 1215.
Pression de vapeur saturée (en Pascal) :
pour 950 K - 2·10-3,
pour 1000 K - 10-2,
pour 1050 K - 10-1.
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