N dactylographient, le substrat d'InAs, 3", catégorie principale
PAM-XIAMEN offre la gaufrette d'InAs – arséniure d'indium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) ou VGF (gel vertical de gradient) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou non dopé dans l'orientation différente (111), (100) ou (110). PAM-XIAMEN peut fournir la gaufrette prête d'InAs de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
3" spécifications de gaufrette d'InAs
| Article | Caractéristiques |
| Dopant | Stannum | Soufre |
| Type de conduction | de type n | de type n |
| Diamètre de gaufrette | 3" |
| Orientation de gaufrette | (100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 600±25um |
| Longueur plate primaire | 22±2mm |
| Longueur plate secondaire | 11±1mm |
| Concentration en transporteur | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Mobilité | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um |
| ARC | <12um |
| CHAÎNE | <15um |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
Quel est le processus d'InAs ?
Des gaufrettes d'InAs doivent être préparées avant la fabrication de dispositif. Pour commencer, elles doivent être complètement nettoyées pour enlever n'importe quels dommages qui pourraient s'être produits pendant le processus de découpage en tranches. Les gaufrettes alors sont chimiquement mécaniquement polies/Plaranrized (CMP) pour l'étape matérielle finale de retrait. Ceci tient compte de l'accomplissement des surfaces comme un miroir superbe-plates avec une rugosité restante sur une échelle atomique. Ensuite cela est accompli, la gaufrette est prêt pour la fabrication.
Propriétés électriques de gaufrette d'InAs
Paramètres de base
| Champ de panne | ≈4·104 V cm-1 |
| Mobilité des électrons | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| Mobilité des trous | ≤5·102 cm2 de V-1s-1 |
| Coefficient de diffusion d'électrons | ≤103 cm2s-1 |
| Coefficient de diffusion de trous | cm2 de ≤13 S1 |
| Vitesse de courant ascendant d'électron | 7,7·105 m S1 |
| Vitesse de courant ascendant de trou | 2·105 m S1 |
Mobilité et Hall Effect
 | Mobilité de hall d'électron contre la température pour la concentration différente d'électron :
plein no= 4 de triangles·1015 cm-3,
entoure le no= 4·1016cm-3,
ouvrez le no= 1,7 de triangles·1016cm-3.
Courbe-calcul solide pour InAs pur.
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| Mobilité de hall d'électron contre la concentration d'électron. T = 77 K.
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| Mobilité de hall d'électron contre la concentration d'électron T = 300 K
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| Mobilité de hall d'électron (R·σ) en matériel compensé | Courbe | n cm-3 | Na+Nd cm-3 | θ=Na/Nd | | 1 | 8,2·1016 | 3·1017 | 0,58 | | 2 | 3,2·1017 | 6,1·1018 | 0,9 | | 3 | 5,1·1016 | 3,2·1018 | 0,96 | | 4 | 3,3·1016 | 7,5·1017 | 0,91 | | 5 | 7,6·1015 | 3,4·1017 | 0,95 | | 6 | 6,4·1015 | 3,8·1017 | 0,96 | | 7 | 3,3·1015 | 3,9·1017 | 0,98 | |
| Mobilité de hall d'électron contre le champ magnétique transversal, T = 77 K.
ND (cm-3) :
1. 1,7·1016 ;
2. 5,8·1016.
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À T = 300 K le facteur de Hall d'électron dans Rhésus pur ~1,3 de n-InAs.
| Mobilité de hall de trou (R·σ) contre la température pour différentes densités d'accepteur.
Concentration en trou à 300 K PO (cm-3) : 1. 5,7·1016 ; 2. 2,6·1017 ; 3. 4,2·1017 ; 4. 1,3·1018.
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| Coefficient de hall contre la température pour différentes densités d'accepteur.
Concentration en trou à 300 K PO (cm-3) : 1. 5,7·1016 ; 2. 2,6·1017 ; 3. 4,2·1017 ; 4. 1,3·1018.
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Propriétés de transport dans les champs électriques élevés
| La dépendance équilibrée de champ de la vitesse de glissement des électrons, 300 K,
F || (100). Calcul théorique
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| La dépendance de champ de la vitesse de glissement des électrons à différents champs magnétiques transversaux pour de longues impulsions (de micro-seconde).
Résultats expérimentaux, 77 K
Champ magnétique B (T) : 1. 0,0 ; 2. 0,3 ; 3. 0,9 ; 4. 1,5.
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| La dépendance de champ de la vitesse de glissement des électrons, 77 K.
Résultats d'exposition de lignes continues de calcul théorique pour le non-parabolicity différent
α (eV-1) : 1. 2,85 ; 2. 2,0 ; 3. 1,5.
Les points donnent des résultats expérimentaux pour sous très peu (les impulsions de picoseconde)
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Ionisation d'impact
| La dépendance de l'ionisation évalue pour le αi d'électrons et troue le βi contre 1/F, T =77K
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Pour des électrons :
αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1 ;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)
Pour des trous :
βi = βoexp (- Fpo/F)
À 77 K
| 1,5·104 V cm-1 < F < 3·104 V cm-1 | 3·104 V cm-1 < F < 6·104 V cm-1 |
| βo = 4,7·105 cm-1 ; | βo = 4,5·106 cm-1 ; |
| Fpo = 0,85·105 V cm-1. | Fpo = 1,54·105 V cm-1 |
| Taux g de génération contre le champ électrique pour les champs relativement bas, T = 77 K.
La ligne continue donne le résultat du calcul.
Résultats expérimentaux : cercles ouverts et pleins - InAs non dopé,
ouvrez les triangles - InAs compensé.
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| La tension claque et la panne mettent en place contre enduire la densité pour une jonction brusque de PN, 77 K. |
Paramètres de recombinaison
| Matériel de type n pur (aucun =2·10-15cm-3) |
| La plus longue vie des trous | τp | 3·10-6 s |
| Longueur de diffusion Lp | Lp | 10 - µm 20. |
| Matériel de type p pur |
| La plus longue vie des électrons | τn | 3·10-8 s |
| Longueur de diffusion Ln | Ln | 30 - µm 60 |
Taux de recombinaison extérieurs caractéristiques (cm S1) 102 - 104.
Coefficient radiatif de recombinaison
| 77 K | 1,2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1,1·10-10 cm3s-1 |
Coefficient de foreuse
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