N dactylographient, le substrat d'InSb, 3", la catégorie factice
PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes d'InSb de monocristal de grande pureté (antimoniure d'indium) pour les photodiodes ou le dispositif photoelectromagnetic, les capteurs de champ magnétique utilisant la magnétorésistance ou les transistors à effet Hall et rapides (en termes de commutation dynamique) dus à la mobilité des porteuses élevée d'InSb, dans certains des détecteurs de la caméra infrarouge de rangée sur le télescope spatial de Spitzer. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 1 pouce à 3 pouces, gaufrettes peuvent être produits dans diverses épaisseurs et différentes orientations (100), (111), (110) avec les gaufrettes polies et les gaufrettes vides. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie mécanique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offrent également le matériel d'InSb aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.
N dactylographient, le substrat d'InSb, 3", la catégorie factice
| Spécifications de gaufrette |
| Article | Caractéristiques |
| Diamètre de gaufrette | 3 ″ 76.2±0.4mm |
| Orientation en cristal | ″ 3 (111) AorB±0.1°
|
| Épaisseur | 3 ″ 800or900±25um
|
| Longueur plate primaire | 3 ″ 22±2mm
|
| Longueur plate secondaire | 3 ″ 11±1mm
|
| Finition extérieure | P/E, P/P |
| Paquet | Conteneur de gaufrette ou cassette Epi-prêt et simple de CF |
| Élém. élect. et enduisant des spécifications |
| Type de conduction | de type n | de type n | de type n |
| Dopant | Tellurium | Bas tellurium | Haut tellurium |
| Cm2 d'EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 de cm de mobilité | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | Non spécifique |
| Concentration en transporteur cm-3 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
Propriétés optiques de gaufrette d'InSb
| Indice de réfraction infrarouge | 4,0 |
| Coefficient radiatif de recombinaison | 5·10-11 cm3s-1 |
Indice de réfraction infrarouge
Pour 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n
 | Indice de réfraction n contre l'énergie de photon, 300 K.
|
| Réflectivité normale d'incidence contre l'énergie de photon, 300 K.
|
| Coefficient d'absorption près de la limite d'absorption intrinsèque, T = 2K
|
Mev de l'énergie RX1= 0,5 de Rydberg d'état fondamental.
| Coefficient d'absorption près de la limite d'absorption intrinsèque pour différentes températures
|
| Limite d'absorption d'InSb pur. T (k) :
1. 298 ;
2. 5K ;
|
| Coefficient d'absorption contre l'énergie de photon, T = 300 K.
|
| Coefficient d'absorption contre l'énergie de photon à différents niveaux de dopage, n-InSb, T = 130 K
no (cm-3) :
1. 6,6·1013 ;
2. 7,5·1017 ;
3. 2,6·1018 ;
4. 6·1018 ;
|
| Coefficient d'absorption contre l'énergie de photon à différents niveaux de dopage, p-InSb, T = 5K.
PO (cm-3) :
1. 5,5·1017 ;
2. 9·1017 ;
3. 1,6·1018 ;
4. 2,6·1018 ;
5. 9,4·1018 ;
6. 2·1019 ;
|
Recherchez-vous un substrat d'InSb ?
PAM-XIAMEN est fier d'offrir le substrat de phosphure d'indium pour tous les différents genres de projets. Si vous recherchez des gaufrettes d'InSb, envoyez-nous l'enquête aujourd'hui pour apprendre plus au sujet de la façon dont nous pouvons travailler avec vous pour t'obtenir les gaufrettes d'InSb que vous avez besoin pour votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !
