Gaufrette de GaSb utilisée pour les détecteurs infrarouges, la LED et les lasers infrarouges et les transistors, et les systèmes de Thermophotovoltaic
Description de produit
PAM-XIAMEN offre la gaufrette de GaSb de semi-conducteur composé – antimoniure de gallium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou semi-isolant dans l'orientation différente (111) ou (100).
L'antimoniure de gallium (GaSb) est une matière semi-conductrice du gallium et de l'antimoine de la famille d'III-V. Il a une constante de trellis d'environ 0,61 nanomètres. GaSb peut être employé pour les détecteurs infrarouges, la LED et les lasers infrarouges et les transistors, et les systèmes thermophotovoltaic.
Voici les spécifications de détail :
spécifications de gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
spécifications de gaufrette de GaSb de 3 ″ (50.8mm)
spécifications de gaufrette de GaSb de 4 ″ (100mm)
spécifications de gaufrette de GaSb de 2 ″
| Article |
Caractéristiques |
| Dopant |
Non dopé |
Zinc |
Tellurium |
| Type de conduction |
de type p |
de type p |
de type n |
| Diamètre de gaufrette |
2 ″ |
| Orientation de gaufrette |
(100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette |
500±25um |
| Longueur plate primaire |
16±2mm |
| Longueur plate secondaire |
8±1mm |
| Concentration en transporteur |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Mobilité |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2 |
| TTV |
<10um>
|
| ARC |
<10um>
|
| CHAÎNE |
<12um>
|
| Inscription de laser |
sur demande |
| Finition de Suface |
P/E, P/P |
| Epi prêt |
oui |
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
spécifications de gaufrette de GaSb de 3 ″
| Article |
Caractéristiques |
| Type de conduction |
de type p |
de type p |
de type n |
| Dopant |
Non dopé |
Zinc |
Tellurium |
| Diamètre de gaufrette |
3 ″ |
| Orientation de gaufrette |
(100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette |
600±25um |
| Longueur plate primaire |
22±2mm |
| Longueur plate secondaire |
11±1mm |
| Concentration en transporteur |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Mobilité |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2 |
| TTV |
<12um>
|
| ARC |
<12um>
|
| CHAÎNE |
<15um>
|
| Inscription de laser |
sur demande |
| Finition de Suface |
P/E, P/P |
| Epi prêt |
oui |
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
spécifications de gaufrette de GaSb de 4 ″
| Article |
Caractéristiques |
| Dopant |
Non dopé |
Zinc |
Tellurium |
| Type de conduction |
de type p |
de type p |
de type n |
| Diamètre de gaufrette |
4 ″ |
| Orientation de gaufrette |
(100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette |
800±25um |
| Longueur plate primaire |
32.5±2.5mm |
| Longueur plate secondaire |
18±1mm |
| Concentration en transporteur |
(1-2) x1017cm-3 |
(5-100) x1017cm-3 |
(1-20) x1017cm-3 |
| Mobilité |
600-700cm2/V.s |
200-500cm2/V.s |
2000-3500cm2/V.s |
| EPD |
<2>3cm2 |
| TTV |
<15um>
|
| ARC |
<15um>
|
| CHAÎNE |
<20um>
|
| Inscription de laser |
sur demande |
| Finition de Suface |
P/E, P/P |
| Epi prêt |
oui |
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
1)″ 2 (50.8mm), gaufrette de GaSb de 3 ″ (76.2mm)
Orientation : (100) ±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 600±25
Type/dopant : P/undoped ; P/Si ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~2) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 600~700
Méthode de croissance : LA CZ
Polonais : SSP
2)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (100) ±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 600±25
Type/dopant : N/undoped ; P/Te
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP
3)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) A±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP
4)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) B±0.5°
Épaisseur (μm) : 500±25 ; 450±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP
5)gaufrette de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientation : (111) B 2deg.off
Épaisseur (μm) : 500±25
Type/dopant : N/Te ; P/Zn
OR (cm-3) : (1~5) E17
Mobilité (cm2/V ·s) : 2500~3500 ; 200~500
Méthode de croissance : LEC
Polonais : SSP
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