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P dactylographient, la gaufrette de GaSb (antimoniure de gallium), 2", catégorie d'essai - fabrication de gaufrette de semi-conducteur
PAM-XIAMEN offre la gaufrette de GaSb – antimoniure de gallium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou non dopé dans l'orientation différente (111) ou (100). L'antimoniure de gallium (GaSb) est un composé cristallin fait à partir du gallium (Ga) d'éléments et de l'antimoine (Sb).
2" spécifications de gaufrette de GaSb
| Article | Caractéristiques |
| Dopant | Zinc |
| Type de conduction | de type p |
| Diamètre de gaufrette | 2" |
| Orientation de gaufrette | (100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 500±25um |
| Longueur plate primaire | 16±2mm |
| Longueur plate secondaire | 8±1mm |
| Concentration en transporteur | (5-100) x1017cm-3 |
| Mobilité | 200-500cm2/V.s |
| EPD | <2x10>3cm-2 |
| TTV | <10um> |
| ARC | <10um> |
| CHAÎNE | <12um> |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
La concentration en structure et en transporteur de bande de la gaufrette de GaSb incluent des paramètres de base, la température, des dépendances, la dépendance de domaine d'énergie à l'égard la pression hydrostatique, des masses efficaces, des donateurs et des accepteurs
Paramètres de base
| Domaine d'énergie | 0,726 eV |
| Séparation d'énergie (EΓL) entre Γ et L vallées | 0,084 eV |
| Séparation d'énergie (EΓX) entre les vallées de Γ et de X | 0,31 eV |
| Division rotation-orbitale d'énergie | 0,80 eV |
| Concentration en transporteur intrinsèque | 1,5·1012 cm-3 |
| Résistivité intrinsèque | 103 Ω·cm |
| Densité efficace de bande de conduction des états | 2,1·1017 cm-3 |
| Densité efficace de bande de valence des états | 1,8·1019 cm-3 |
 | Concentration en structure et en transporteur de bande de GaSb. 300 K Par exemple = 0,726 eV EL = 0,81 eV = eV 1,03 EX Eso = 0,8 eV |
Par exemple = 0,813 - 3,78·10-4·T2 (T+94) (eV),
là où T est la température en degrés K (0 < T="">
EL = 0,902 - 3,97·10-4·T2 (T+94) (eV)
= 1,142 - 4,75 EX·10-4·T2 (T+94) (eV)
OR = 4,0·1013·T3/2 (cm-3)
OR = 4,0·1013·T3/2 (cm-3)
Nanovolt = 3,5·1015·T3/2 (cm-3)
| Les dépendances de la température de la concentration en transporteur intrinsèque. |
Par exemple = par exemple (0) + 14,5·10-3P (eV)
EL = EL (0) + 5,0·10-3P (eV)
(0) - 1,5 EX = EX·10-3P (eV),
là où P est pression dans kbar.
| Domaine d'énergie se rétrécissant contre l'accepteur d'accepteur enduisant la densité. La courbe est calculée pour le p-GaSb selon Les points donnent des résultats expérimentaux |
Par exemple = 13,6·10-9·Nd1/3 + 1,66·10-7·Nd1/4 + 119·10-12·Nd1/2 (eV)
Par exemple = 8,07·10-9·Na1/3 + 2,80·10-7·Na1/4+ 4,12·10-12·Na1/2 (eV)
| Pour la Γ-vallée | mΓ = 0.041mo |
| Dans le l vallée les surfaces de l'énergie égale sont des ellipsoïdes | |
| ml= 0.95mo | |
| mt= 0.11mo | |
| La masse efficace de la densité des états | |
| mL= 16 (mlmt2) 1/3= 0.57mo | |
| Dans la vallée de x les surfaces de l'énergie égale sont des ellipsoïdes | |
| ml= 1.51mo | |
| mt= 0.22mo | |
| La masse efficace de la densité des états | |
| mX= 9 (mlmt2) 1/3= 0.87mo | |
| Lourd | MH = 0.4mo |
| Lumière | mlp = 0.05mo |
| Bande de fente- | mso = 0.14mo |
| La masse efficace de la densité des états | système mv = 0.8mo |
| La masse efficace de la densité de la conductivité | mvc = 0.3mo |
| Le diagramme IV des états de donateur de groupe |
| Te (L) | Te (X) | Se (L) | Se (X) | S (L) | S (X) |
| ~0,02 | ≤0.08 | ~0,05 | ~0,23 | ~0,15 | ~0,30 |
Pour des concentrations de distributeur typiques Nd≥ 1017 cm-3 les états de distributeur peu profonds liés à la Γ-vallée ne sont pas apparus.
L'accepteur dominant de GaSb non dopé semble être un défaut indigène.
Cet accepteur est doublement ionisable
| Ea1 | Ea2 | SI | GE | Zn |
| 0,03 | 0,1 | ~0,01 | ~0,009 | ~0,037 |
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