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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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QPA2933 circuits intégrés IC, PA OVM de l'amplificateur de puissance de rf IC 3.3GHz 60W GaN

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China QPA2933 circuits intégrés IC, PA OVM de l'amplificateur de puissance de rf IC 3.3GHz 60W GaN wholesale
  • China QPA2933 circuits intégrés IC, PA OVM de l'amplificateur de puissance de rf IC 3.3GHz 60W GaN wholesale

QPA2933 circuits intégrés IC, PA OVM de l'amplificateur de puissance de rf IC 3.3GHz 60W GaN
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Number modèle :QPA2933
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Style de montage :SMD/SMT
Type :Amplificateurs de puissance
Technologie :GaN
Fréquence d'opération :2,9 gigahertz à 3,3 gigahertz
Gain :DB 21,8
Marque :Qorvo
Humidité sensible :Oui
Quantité de l'emballage d'usine :50
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PA OVM de l'amplificateur 2.9-3.3GHz 60W GaN de QPA2933 rf

S-bande 60W GaN Power Amplifier de Qorvo QPA2933

La S-bande 60W GaN Power Amplifier de Qorvo QPA2933 est optimisée pour 2.9GHz à 3.3GHz, livrant 48.8dBm de puissance de sortie saturé et 28dB de gain de grand-signal tout en réalisant l'efficacité puissance-supplémentaire par 62%. Le QPA2933 est fabriqué sur un processus de 0.25µm QGaN25 GaN (nitrure de gallium) dessus sic (carbure de silicium) et peut soutenir un grand choix de conditions de fonctionnement aux conditions de système de support. Avec d'excellentes propriétés thermiques, ce dispositif peut soutenir une gamme des tensions de polarisation.

L'amplificateur de puissance de S-bande de Qorvo QPA2933 est empaqueté dans des 7mm x 7mm paquet overmolded en plastique de 48 bornes et a des condensateurs de blocage de C.C sur les deux ports de rf, qui sont assortis à 50Ω, et le port d'entrée est court-circuité pour rectifier. Ce dispositif est idéal pour l'usage dans les systèmes commerciaux et militaires de radar.

CARACTÉRISTIQUES

  • 2.9GHz à la plage de fréquence 3.3GHz
  • 48.8dBm a saturé de puissance de sortie (PSAT)
  • efficacité supplémentaire par puissance de 62% (PAE)
  • grand gain de signal 28dB
  • Polarisation : VDS=+28V, IDQ=680mA
  • -40°C à la gamme de température de fonctionnement de +85°C
  • 7.0mm x 7.0mm x 0.85mm paquet overmolded en plastique de 48 bornes
  • sans halogène, sans plomb, et RoHS conforme

APPLICATIONS

  • Communications commerciales et militaires
  • Radar commercial et militaire

SCHÉMA FONCTIONNEL

QPA2933 circuits intégrés IC, PA OVM de l'amplificateur de puissance de rf IC 3.3GHz 60W GaN
Mots clés du produit:

gaas amplifier module

power amplifier chip

toshiba rf power amplifier module
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