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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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Module de transistor d'IGBT

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 Module de transistor d'IGBT
China Module IXYH30N450HV 4500 V 60 A 430 W de transistor de TO-247HV IGBT par le trou for sale

Module IXYH30N450HV 4500 V 60 A 430 W de transistor de TO-247HV IGBT par le trou

IXYH30N450HV IGBT pinte 4500 V 60 A 430 W par le trou TO-247HV IXYS IXYT30N450HV et IXYH30N450HV XPT™ IGBTs Caractéristique à haute tension d'IXYS ......
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China Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L for sale

Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L

Arrêt de champ de fossé de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W par le trou TO-247-4L fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx le fossé IGBTs de l......
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China Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L for sale

Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L

Arrêt de champ de fossé de FGH4L40T120LQD IGBT 1200 V 80 A 306 W par le trou TO-247-4L onsemi FGH4L40T120LQD IGBT l'onsemi FGH4L40T120LQD IGBT est ......
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China Arrêt de champ du fossé IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W par le trou for sale

Arrêt de champ du fossé IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W par le trou

IXYX110N120B4 IGBT 1200 V 340 A W 1360 par le trou PLUS247™-3 Attribut de produit Valeur d'attribut Attribut choisi Fabricant : IXYS Catégorie de ......
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China Bâti extérieur TO-263HV du module 2500V 30A 150W de transistor d'IXGA20N250HV IGBT for sale

Bâti extérieur TO-263HV du module 2500V 30A 150W de transistor d'IXGA20N250HV IGBT

Bâti extérieur TO-263HV d'IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 W IXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tension IXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tension ...
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China IKWH50N65WR6XKSA1 a isolé le transistor bipolaire 650V de porte pour les appareils ménagers for sale

IKWH50N65WR6XKSA1 a isolé le transistor bipolaire 650V de porte pour les appareils ménagers

Les transistors d'IKWH50N65WR6XKSA1 IGBT MÉNAGER les APPAREILS 14 Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 renversent IGBTs de conduite Infineon Technologi...
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China Bâti extérieur IXBT14N300HV du module 3000V 38A 200W de transistor de TO-268HV IGBT for sale

Bâti extérieur IXBT14N300HV du module 3000V 38A 200W de transistor de TO-268HV IGBT

Bâti extérieur TO-268HV (IXBT) d'IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduite inverse IGBTs IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ ...
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China Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264 for sale

Transistor de puissance d'IXYK110N120A4 IGBT 1200V 375A 1360W par le trou TO-264

IXYK110N120A4 IGBT pinte 1200 V 375 A W 1360 par le trou TO-264 (IXYK) Fossé 650V d'IXYS à 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs Le fossé 650V d'IXYS à 1200V XPT™ ....
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China module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD for sale

module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD

Arrêt de champ de fossé d'AFGHL40T120RLD IGBT 1200 V 48 A 529 W par le trou TO-247-3 Attribut de produit Valeur d'attribut Attribut choisi Fabricant : ...
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China Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT for sale

Bâti extérieur de la Manche 1200 V 4.7A 65W du module N de transistor d'IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

IMBG120R350M1HXTMA1 bâti PG-TO263-7-12 de la surface 65W (comité technique) du N-canal 1200 V 4.7A (comité technique) Modules d'Infineon Technologies ...
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