produits Fournisseurs Sign in Register

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

Manufacturer from China
Fournisseur Vérifié
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / IGBT Transistor Module /

module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD

Catégories de produits

Circuits intégrés IC

 [55]

Logique programmable IC

 [15]

Diode Zener IC

 [16]

Rf Pin Diode

 [16]

Diode de composant électronique

 [17]

Relais à semi-conducteur

 [15]

Module de transistor d'IGBT

 [20]

Connecteurs d'entrée-sortie

 [15]

Condensateurs en céramique multicouche

 [10]

Coupleur optique d'entraînement de porte

 [16]

Microphone de Digital Mems

 [11]

Fan Tubeaxial

 [10]

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

 [10]

Obstructions communes de mode

 [10]

Relais d'usage universel

 [18]

Connecteurs standard de sous-marin de D

 [10]

Gestion IC de puissance

 [12]
Contacter
Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.
Visitez le site Web
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:Missalphademo@maoyt.com
Coordonnées du contact
Contacter
China module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD wholesale
  • China module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD wholesale

module de transistor de 1200V 48A 529W IGBT, arrêt de champ de fossé IGBT AFGHL40T120RLD
Demander le dernier prix
Number modèle :AFGHL40T120RLD
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :48 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :160 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :2.1V @ 15V, 40A
Puissance - Max :529 W
Énergie de changement :3.4mJ (dessus), 1.2mJ ()
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Arrêt de champ de fossé d'AFGHL40T120RLD IGBT 1200 V 48 A 529 W par le trou TO-247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
onsemi
Catégorie de produit : Transistors d'IGBT
RoHS : Détails
TO-247-3
Tube
Marque : onsemi
Type de produit : Transistors d'IGBT
30
Sous-catégorie : IGBTs
Mots clés du produit:

in5408 diode equivalent

genset fawde 15 kva

diode in 5408
Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4