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Arrêt de champ du fossé IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W par le trou

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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China Arrêt de champ du fossé IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W par le trou wholesale

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Arrêt de champ du fossé IXYX110N120B4 IGBT 1200V 340A 1360W par le trou

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Number modèle :IXYX110N120B4

Quantité d'ordre minimum :50pcs

Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces

Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) :1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) :340 A

Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) :800 A

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC :2.1V @ 15V, 110A

Puissance - Max :W 1360

Charge de porte :340 OR

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IXYX110N120B4 IGBT 1200 V 340 A W 1360 par le trou PLUS247™-3

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Attribut choisi
Fabricant :	IXYS
Catégorie de produit :	Transistors d'IGBT
RoHS :	Détails
Technologie :	SI
Montage du style :	Par le trou
Configuration :	Simple
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :	1200 V
Tension maximum d'émetteur de porte :	- 30 V, + 30 V
Courant de collecteur continu à 25 C :	340 A
Palladium - dissipation de puissance :	W 1360
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 175 C
Série :	GEN 4 de 1200V XPTTM
Emballage :	Tube
Marque :	IXYS
Courant de collecteur continu IC maximum :	340 A
Type de produit :	Transistors d'IGBT
	30
Sous-catégorie :	IGBTs
Nom commercial :	XPT

Mots clés du produit:

regulator argon

argon regulator

trench gate mosfet

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