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le fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx sont 4mi-vitesse IGBTs de génération de Th bourré de technologies avec la diode actuelle entièrement évaluée. Les FGHL75T65MQDTx IGBTs fonctionnent à la température de jonction 175°C maximum, au collecteur 650V à la tension d'émetteur, et au courant de collecteur 75A. Ces IGBTs comportent le coefficient de température positif pour l'opération parallèle facile, la capacité à forte intensité, la commutation douce et optimisée, et la distribution serrée de paramètre. Le FGHL75T65MQDT est construit dans un paquet de TO247-3L et le FGHL75T65MQDTL4 IGBT est construit dans un paquet de TO247-4L. Ces IGBTs sont idéal pour des applications dans les inverseurs solaires, l'UPS, l'ESS, le PFC, et des convertisseurs.