IXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tension (transistor bipolaire isolé de porte) fournit une capacité de résistance carrée de la région polarisée (RBSOA) et du court-circuit 10µs d'opération sûre d'inversion. L'IXGA20N250HV comporte la tension de saturation de tension du collecteur-à-émetteur 2500V, courant de collecteur 12A à +110°C, et de collecteur-émetteur 3.1V. Le dispositif a un coefficient positif de temp de VCE (reposé), idéal pour la parallélisation.

L'IXGA20N250HV IGBT permet un à un dispositif dans les systèmes dont les circuits ont précédemment utilisé les commutateurs de basse tension cascadés par multiple. Une telle consolidation de dispositif réduit le nombre de dispositifs de puissance et améliore le coût et l'efficacité en éliminant les composants de équilibrage complexes d'entraînement et de tension. Dans les systèmes dont les circuits ont précédemment utilisé les thyristors à haute tension, cet IGBT à haute tension fournit au concepteur un commutateur vrai pour mettre en application facilement des plans de modulation de signal. Cette capacité améliore l'efficacité, simplifiant vague-former et permettre la séparation de charge pour la sécurité des systèmes améliorée. La haute tension traditionnelle EMRs et les relais de décharge peuvent également être remplacés, réduisant la complexité de système et améliorant la fiabilité globale.

L'IXYS IXGA20N250HV IGBT à haute tension est offert dans un paquet industriellement compatible de TO-263HV et comporte un -55°C à la température ambiante de jonction de +150°C.

CARACTÉRISTIQUES

Paquet industriellement compatible de TO-263HV
Paquet à haute tension
Étiquette électriquement d'isolement

Capacité de courant de pointe élevée
Basse tension de saturation
L'époxyde de moulage rencontre la classification de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

APPLICATIONS

Circuits Pulser
Circuits de décharge de condensateur
Blocs THT

Équipement de test à haute tension
Générateurs de laser et de rayon X

CARACTÉRISTIQUES

tension de collecteur-émetteur 2500V (VCES)
tension de la collecteur-porte 2500V (VCGR)
tension de porte-émetteur de ±20V (VGES)
coupure de tension de porte-émetteur de ±30V (VGEMME)
dissipation de puissance du collecteur 150W (PC)

courant de collecteur 30A à +25°C (IC25)
courant de collecteur 12A à +110°C (IC110)
tension de saturation du collecteur-émetteur 3.10V (VCE (s'est reposé))
Résistance thermique du jonction-cas 0.83°C/W (RthJC)
-55°C à la température ambiante de jonction de +150°C (Tj)

DÉSIGNATIONS ET SCHÉMA DE PIN

Bâti extérieur TO-263HV du module 2500V 30A 150W de transistor d'IXGA20N250HV IGBT

CONTOUR DE PAQUET

Mots clés du produit: