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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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Bâti extérieur électronique DFN1006BD-2 de la diode 85 V 325mA de composant de BAS116LSYL

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China Bâti extérieur électronique DFN1006BD-2 de la diode 85 V 325mA de composant de BAS116LSYL wholesale
  • China Bâti extérieur électronique DFN1006BD-2 de la diode 85 V 325mA de composant de BAS116LSYL wholesale

Bâti extérieur électronique DFN1006BD-2 de la diode 85 V 325mA de composant de BAS116LSYL
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Number modèle :BAS116LSYL
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Tension - CC inverse (Vr) (Max) :85 V
Courant - Moyenne redressée (Io) :325mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If :1,25 V à 150 mA
Vitesse :=< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S)
Temps de récupération inverse (trr) :3 µs
Courant - Fuite inverse @ Vr :Na 5 @ 75 V
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Bâti extérieur DFN1006BD-2 de la norme 85 V 325mA de diode de BAS116LSYL

Diode de Bas-fuite de Nexperia BAS116LS-Q

La diode de Bas-fuite de Nexperia BAS116LS-Q est logée dans un ultra-petit paquet en plastique Surface-monté sans plomb du dispositif DFN1006BD-2 (SOD882BD) (SMD). Le paquet a les flancs côté-mouillables. La caractéristique de BAS116LS-Q un temps de changement de t maximalrr = 3µs, et un bas courant de fuite de maximum. JeR = 5nA.

CARACTÉRISTIQUES

  • Temps de changement t maximalrr= 3µs
  • Maximum actuel de basse fuite. JeR= 5nA
  • ≤ maximal répétitif 85V de la tension inverse VRRM
  • Basse capacité C typiqued= 2pF
  • Ultra-petit et sans plomb paquet en plastique de SMD
  • Approprié à l'inspection optique automatique (AOI) du joint de soudure
  • A qualifié selon AEC-Q101 et a recommandé pour l'usage dans des applications des véhicules à moteur

APPLICATIONS

  • applications actuelles de Bas-fuite
  • Commutation polyvalente
Mots clés du produit:

surface mount diode identification

uf4007 diode

smd diode 1n4007
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