Les diodes de barrière de RBQx Schottky de semi-conducteur de ROHM sont AEC-Q101 ont qualifié la haut-fiabilité bas IDiodes de R pour la rectification générale. Ces diodes comportent un type de moule de puissance, type commun de cathode le double, et la structure planaire épitaxiale de silicium. Les diodes de barrière de RBQx Schottky sont stockées à -55°C à la température ambiante 150°C. Ces diodes fonctionnent à la température de jonction 150°C et au courant de montée subite de la crête 100A en avant. Les diodes de barrière de RBQx Schottky sont idéales pour l'usage dans l'alimentation d'énergie de changement.

CARACTÉRISTIQUES

Fiabilité élevée
Type de moule de puissance
Structure planaire épitaxiale de silicium

Type commun de cathode double
Bas jeR

CARACTÉRISTIQUES

la température de jonction 150°C
-55°C à la température ambiante de température de stockage 150°C

courant de montée subite en avant de la crête 100A

Mots clés du produit:

Bâti extérieur électronique TO-277A de la diode 100V 3A du composant RBQ3RSM10BTL1

Circuits intégrés IC

Logique programmable IC

Diode Zener IC

Rf Pin Diode

Diode de composant électronique

Relais à semi-conducteur

Module de transistor d'IGBT

Connecteurs d'entrée-sortie

Condensateurs en céramique multicouche

Coupleur optique d'entraînement de porte

Microphone de Digital Mems

Fan Tubeaxial

Cellule de bouton de bioxyde de manganèse de lithium

Obstructions communes de mode

Relais d'usage universel

Connecteurs standard de sous-marin de D

Gestion IC de puissance

Bâti extérieur électronique TO-277A de la diode 100V 3A du composant RBQ3RSM10BTL1

Bâti extérieur TO-277A de Schottky 100 V 3A de la diode RBQ3RSM10BTL1

Diodes de barrière de RBQx Schottky de semi-conducteur de ROHM

CARACTÉRISTIQUES

CARACTÉRISTIQUES

surface mount diode identification

diode stack sr u620806

dc voltmeter panel mount