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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite

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China Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite wholesale
  • China Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite wholesale

Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite
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Number modèle :G3VM-61MT (TR01)
Quantité d'ordre minimum :50pcs
Capacité d'approvisionnement :1000000 pièces
Type de sortie :C.A., C.C
Tension - Entrée :2.4VDC
Tension - Charge :0 V | 60 V
Courant de charge :800 mA
Résistance à l'état passant (Max) :800 mOhms
Style de terminaison :Étiquette de SMD (SMT)
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Relais à semi-conducteur de G3VM-61MT (TR01) - relais de transistor MOSFET de bâti de carte PCB en paquet de module avec le courant très bas de fuite

Modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron

Les modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron offrent la mesure à haute précision et améliorent la productivité des composants électroniques. Les relais comportent une dimension compacte se composante de structure de type t de circuit et un plus long cycle de vie. La structure de circuit se compose de trois relais de transistor MOSFET qui aident à ramener la fuite actuelle à un niveau minimal sans affecter l'exactitude. Ces modules sont les variantes 21MT, 61MT, et 101MT disponibles. Le G3VM-MT permet les signaux de changement de mesure dans l'équipement de test a principalement employé pour réaliser les essais électriques pour des dispositifs de semi-conducteur.

CARACTÉRISTIQUES

  • Contribue à réduire l'espace de montage sur la carte d'impression par le petit paquet
  • La fuite actuelle quand piquez-vous est ouverte et ligne sous est étroite : 1pA (maximum) à V=20V
  • Forme de contact : 1A (SPST-NO) + fonction de T-commutateur
  • Surface-support

CARACTÉRISTIQUES

  • courant maximal de la fuite 1pA
  • 20V à la tension maximale de la charge 100V
  • 200mA au courant continu maximal de la charge 500mA
  • 8Ω à la résistance 0.4Ω maximale avec la sortie DESSUS
  • capacité de 0.6pF 23pF entre les terminaux de sortie
  • maximum du déclencheur LED de 3mA @25°C en avant actuel

STRUCTURE 3-MOSFET (MODULE DE T)

Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite
Mots clés du produit:

solid state relay 5a

solid state relay 30a

5v solid state relay
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