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Relais à semi-conducteur de G3VM-61MT (TR01) - relais de transistor MOSFET de bâti de carte PCB en paquet de module avec le courant très bas de fuite
Modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron
Les modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron offrent la mesure à haute précision et améliorent la productivité des composants électroniques. Les relais comportent une dimension compacte se composante de structure de type t de circuit et un plus long cycle de vie. La structure de circuit se compose de trois relais de transistor MOSFET qui aident à ramener la fuite actuelle à un niveau minimal sans affecter l'exactitude. Ces modules sont les variantes 21MT, 61MT, et 101MT disponibles. Le G3VM-MT permet les signaux de changement de mesure dans l'équipement de test a principalement employé pour réaliser les essais électriques pour des dispositifs de semi-conducteur.
CARACTÉRISTIQUES
- Contribue à réduire l'espace de montage sur la carte d'impression par le petit paquet
- La fuite actuelle quand piquez-vous est ouverte et ligne sous est étroite : 1pA (maximum) à V=20V
- Forme de contact : 1A (SPST-NO) + fonction de T-commutateur
- Surface-support
CARACTÉRISTIQUES
- courant maximal de la fuite 1pA
- 20V à la tension maximale de la charge 100V
- 200mA au courant continu maximal de la charge 500mA
- 8Ω à la résistance 0.4Ω maximale avec la sortie DESSUS
- capacité de 0.6pF 23pF entre les terminaux de sortie
- maximum du déclencheur LED de 3mA @25°C en avant actuel
STRUCTURE 3-MOSFET (MODULE DE T)
